1) ZnTe insertion layer
碲化锌插层
2) ZnTe complex back contact
碲化锌背接触层
4) Cadmium Zinc Telluride(CZT)
碲化锌镉(CZT)
5) CdZnTe
碲锌镉
1.
Research on Growth and Properties of CdZnTe Single Crystal;
优质碲锌镉单晶的生长及性能测试
2.
Evolution of Solid-liquid Interface of CdZnTe Crystal Growth by Vertical Bridgman Method;
碲锌镉垂直布里奇曼法晶体生长过程固液界面的演化
3.
Morphology characteristics of etch pits on CdZnTe crystals developed by usual etchants;
碲锌镉晶体常用腐蚀剂的坑形特性研究
6) ZnS 1-x Tex
碲硫锌
补充资料:插层反应
分子式:
CAS号:
性质:嵌入反应中的主体反应物(基质)为层状结构时,客体分子G嵌入层间生成夹层结构。如石墨生成一阶、二阶或三阶嵌入化合物,插层反应的特征是,要有一定的结构开放性,能允许外来原子或离子易于扩散进或逸出晶体。大量层状结构化合物有能力发生插层反应。实验证明,当嵌入的金属有机物为具有低离子化能的良好还原剂时,就可实现电子从客体向主体的转移。这对制备具有较高超导转变温度的材料显示出良好前景。
CAS号:
性质:嵌入反应中的主体反应物(基质)为层状结构时,客体分子G嵌入层间生成夹层结构。如石墨生成一阶、二阶或三阶嵌入化合物,插层反应的特征是,要有一定的结构开放性,能允许外来原子或离子易于扩散进或逸出晶体。大量层状结构化合物有能力发生插层反应。实验证明,当嵌入的金属有机物为具有低离子化能的良好还原剂时,就可实现电子从客体向主体的转移。这对制备具有较高超导转变温度的材料显示出良好前景。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条