1) Gd_(1-x)C_x alloy
Gd1-xCx合金
2) Gd1-xVx alloy
Gd1-xVx合金
1.
The magnetic behavior of Gd1-xVx alloys (x=0.
研究发现:Gd1-xVx合金完全保持了纯Gd的六方型晶体结构,其在居里温度附近的磁特性符合二级相变规律;合金居里温度比纯Gd低1~2K,并且随x的增加变化很小;在低磁场下Gd1-xVx合金具有较大的磁熵变、绝热温变以及较宽的ΔSM-T曲线峰,并且所有样品的相对制冷能力都明显优于纯Gd。
3) Si1-xCx alloy
Si1-xCx合金
4) Ge_(1-x)C_x alloy films
Ge1-xCx合金薄膜
1.
The Ge_(1-x)C_x alloy films with high carbon of 3% were epitaxially deposited on Si(100) substrates by chemical vapor deposition (CVD) method.
用化学气相淀积生长方法,以乙烯为碳源、锗烷为锗源,在Si(100)衬底上外延生长出了C组分达3%的Ge1-xCx合金薄膜,研究表明随着生长温度和乙烯分压的提高均可导致Ge1-xCx薄膜中碳组分的增加;X射线衍射测量显示随着C组分的增加合金薄膜晶格常数不断减小,这表明外延薄膜中的C原子主要以替位式存在。
5) Gd1-xEuxAl3(BO3)4 synthesis
Gd1-xEuxAl3(BO3)4合成
6) Ge1-xCx thin film
Ge1-xCx薄膜
1.
The Ge1-xCx thin films were deposited on germanium substrate by Reaction Low Voltage Ion Plating(RLVIP) technique.
应用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜。
2.
Ge1-xCx thin film was deposited on Ge substrate by e-gun evaporation and Kaufman ion source assisted technique.
应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜。
补充资料：东北轻合金加工厂生产的铝合金挤压管材和空心材
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参考词条