1) β-PVDF
β晶型PVDF薄膜
2) PVDF film
PVDF薄膜
1.
The strain monitoring system of PVDF film as the strain sensor that is widely used for structural health monitoring.
以PVDF为传感元件建立的应变监测系统正被广泛地应用于大型结构的健康监测研究中,以大型钢混结构建筑中的钢筋作为变形测试件,PVDF薄膜为传感元件,通过实验分析了当外力作用在测试件表面时,PVDF薄膜的输出电压和测试件实际变形之间的关系。
2.
It uses PVDF film as a sensing material, which is pasted inside the wall of a cylinder made of a flexible organic material.
采用PVDF薄膜作为换能材料,聚碳酸脂作为背衬,薄膜粘贴在背衬的内壁,软性的背衬在声压的作用下形变,从而带动薄膜形变,产生电信号输出。
3.
PVDF film is a new material of piezoelectrical macromolecule.
研究了在远场条件下 ,用PVDF传感器测量梁结构的振动功率流 用传统的加速度传感器测量振动功率流时 ,不可避免地产生有限差分误差 ,而PVDF薄膜是一种新型压电高分子材料 ,根据其积分特性 ,在理论上设计出两种形状的PVDF传感器 ,用它们测量功率流 ,结果中不会出现有限差分误差 通过试验验证了PVDF传感器测量梁结构振动功率流是可行的 试验结果表明 :PVDF传感器不仅可以精确地测量功率流 ,而且还能够直接得到测量点的位移 (速度或加速度 )、弯矩和剪
3) PVDF piezoelectric film
PVDF压电薄膜
1.
Design of sensors using PVDF piezoelectric film is the new focus of sensor in recent years.
用PVDF压电薄膜设计传感器是近年来在传感器领域研究的一个新热点,通过对PVDF压电薄膜的压电性能的分析,根据弹性力学的薄板理论和压电效应的物态方程,导出PVDF压电薄膜的传感方程,并对偏转角θ的情况进行了讨论;为用PVDF压电薄膜制作传感器提供理论基础。
2.
PVDF piezoelectric film is a new-type high polymer type sensing material, and through using its piezoelectric characteristics, a variety of sensors have been developed to meet the different measurement requirements, which.
PVDF压电薄膜是一种新型的高分子聚合物型传感材料,利用PVDF压电薄膜的压电特性,设计制作各种传感器来满足不同的测量要求已经成为当今人们研究的一个热点,国内外许多科研人员已经利用PVDF压电薄膜做出了许多成功的应用。
4) PVDF film
PVDF压电薄膜
1.
Study on strain-sensing of PVDF films;
PVDF压电薄膜的应变传感特性研究
2.
Structure Strain and Damage Detection Using PVDF Films;
PVDF压电薄膜是一种智能传感元件，其良好的性能使PVDF压电薄膜在结构损伤检测领域有广阔的发展空间。
5) PVDF(Polyvinylidene Fluoride) thin film
PVDF(Polyvinylidene Fluoride)压电薄膜
6) p-type μc-Si:H thin films
p型微晶硅薄膜
1.
Using plasma enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD) technique p-type μc-Si∶H thin films with the thickness of about 40nm are prepared on the glass substrate when B2H6 is used as dopant.
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜。
补充资料：稀土-铁族金属非晶薄膜磁光材料
分子式：
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条