1) Chemical solution deposition
化学溶液淀积
1.
Chemical solution deposition (CSD) method was employed to prepare La_~0.
采用化学溶液淀积法制备了具有纯钙钛矿结构和良好导电性能的La_(0。
2) CSD process
化学溶液沉淀法
3) chemical liquid phase deposition
化学液相淀积
1.
The process of manufacturing thin oxide films by chemical liquid phase deposition and its application in integrated circuits industry is discussed.
介绍了化学液相淀积法制备氧化物薄膜的工艺过程及其在集成电路生产中的应用,并报道了一些最新研究成果。
4) chemical liquid phase deposition (CLD)
化学液相淀积(CLD)
5) chemical solution deposition
化学溶液沉积
1.
ZnO nanorods were grown on ITO conducting glass by the chemical solution deposition method (CBD) at a low temperature(90 ℃).
在低温条件下,利用化学溶液沉积法(CBD)成功在ITO导电玻璃衬底上生长出近一维ZnO纳米棒。
2.
On the one hand, in order to study the effects of film thickness on microstructures and electrical properties of BNT thin films, BNT films with different thicknesses were fabricated by chemical solution deposition (CSD).
一方面,用化学溶液沉积(CSD)法制备了不同薄膜厚度的BNT铁电薄膜,研究了薄膜厚度对BNT薄膜微观结构和电学性能的影响;另一方面,用静电纺丝法制备了BNT纳米纤维,并研究了BNT纳米纤维的微观结构和电学性能;同时,利用朗道理论对BNT纳米纤维的居里温度和电学性能进行了研究。
3.
YBCO superconducting film is fabricated on the single crystal LaAlO_3 substrates using non-fluorine chemical solution deposition.
本学位论文在LaAlO_3单晶基底上采用无氟化学溶液沉积法制备了YBCO超导薄膜。
6) CSD
化学溶液沉积法
1.
75Ti3O12(BLT) thin films have been prepared by chemical solution deposition(CSD).
采用化学溶液沉积法在p-Si(100)衬底上制备了LaNiO3(LNO)下电极和Bi3。
2.
The Bi_2Ti_2O_7 thin film with strong (111) orientation was successfully prepared by chemical solution deposition (CSD) technique on n－ Si (100) using bismuth nitrate and titanium butoxide as starting materials.
采用化学溶液沉积法，以硝酸铋和钛酸四丁酯为原料成功地制备了 Bi_2Ti_2O_7介质膜。
3.
75)Ti_3O_(12) ((M=Nd,Al,In)) thin films have been prepared on LaNiO3 (LNO)/Si and quartz by chemical solution deposition (CSD), respectively.
采用化学溶液沉积法分别在LaNiO3(LNO)/Si和石英衬底上制备了Bi_(3。
补充资料：化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中，由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2，Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长，特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD（MOCVD）。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条