1) Etching condition
蚀刻条件
3) etching conditions
腐蚀条件
1.
The effects of the etching conditions and doping concentration of silicon wafer on the porosity of PS film were investigated.
采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,主要研究了腐蚀条件及硅基体掺杂浓度对多孔硅孔隙率的影响,并且结合原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)技术对所制备的多孔硅的表面形貌和断面形貌进行了分析表征。
2.
The optimal process of Pt electrode and the effects of etching conditions on the thickness of porous silicon were studied.
用电偶腐蚀法制备多孔硅,主要研究了铂电极的优化制备工艺以及腐蚀条件对多孔硅厚度的影响,并且结合SEM,AFM等测试手段对所制备的多孔硅的表面形貌进行了分析。
6) Free corrosion condition
自腐蚀条件
补充资料：光蚀刻
光蚀刻
photoetching
简称光刻。利用照相手段制作抗蚀膜像，用来保护表面，在金属、塑料等上面，借助腐蚀剂进行腐蚀的方法。应用于制作印片或电器的线路板等。
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参考词条