说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 玻恩迭代方法
1)  Born iterative method (BIM)
玻恩迭代方法
2)  Born iterative method
玻恩迭代法
1.
A number of effective procedures for improving the distorted Born iterative method are proposed, including the accurate and efficient solution of the direct problem, second-difference regularization, weighted least-squares solution, estimation of the initial guess by using a priori information and multiple-frequency scheme.
该文对二维剖面重建的变形玻恩迭代法提出一系列改进方法,包括提高求解正问题的精度和计算效率,采用二次差分正则化并用加权最小二乘法解正则化反演方程,以及利用先验知识预估初值和采用增频法。
3)  VBIM
变分玻恩迭代方法
1.
A novel inverse iteration method, variational Born iteration method (VBIM), for the inversion and reconstruction of two-dimensional axisymmetic inhomogeneous media is described in this paper.
提出了用于二维轴对称非均匀介质结构的反演和成像的一种新的反演迭代方法──变分玻恩迭代方法(VBIM)。
4)  Distorted Born iterative method
变形玻恩迭代法
1.
The profile of a two-dimensional axi-symmetric inhomogeneous medium is reconstructed by using the distorted Born iterative method and multi-grid technique.
将多重网格技术与变形玻恩迭代法相结合,对轴对称二维非均匀介质分布进行了反演。
5)  distorted born iterative method
变形玻恩迭代
6)  time-domain Born iteration
时域玻恩迭代
补充资料:玻恩-卡门边界条件


玻恩-卡门边界条件
Born-von Kamen boundary condition

  玻恩一卡门边界条件Born一von Kamen boundarycondition在求解晶体中电子系统等问题时,为避免表面效应而选取的一种人为的边界条件。又称周期性边界条件。 在求解晶体中电子的薛定谬方程时,采用某种边界条件来表示电子限制在晶体体积V之内。若不考虑表面效应,或仅限于研究不受表面影响的体材料中的问题,可以只根据数学上的方便来选取边界条件。事实上,只要晶体体积和尺度足够大,可以预期体材料结果不会受表面影响,于是可以选材料为立方体,边长L一Vl,3o设想立方体的每个表面都与它的对立面相接,那么,到达表面的电子将不被反射回来,而是离开材料,并且同时在对立面的相应点重新进入材料。于是,可以写出 必(x,y,之+L)~沪(x,夕,之) 必(x,y千L,之)一必(x,y,动 动(x+L,y,之)=沪(x,y,之)这就是玻恩一卡门边界条件。 (王以铭、曾令之)
  
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条