1) nonlinear control design(NCD) module
非线性设计模块(NCD)
2) nonlinear linear design module (NCD module)
非线性设计模块(NCD模块)
3) Nonlinear Controller Design Blocksets
非线性控制设计模块
4) NCD module
NCD模块
1.
A PID control policy for vibration amplitude stability is put forward in this paper, and the method using NCD module in MATLAB to tune and optimize the PID parameters is also given.
提出了采用PID控制策略对反共振振动筛振幅的稳定性进行控制,给出了利用MATLAB的NCD模块对PID参数进行调整和寻优的方法,获得了一组较好的PID参数,并利用其对振幅控制系统进行了仿真。
2.
Using the NCD module in MATLAB, the PID parameter in the control system can be designed optimally, while the method is simple, the result is precise, and at the same time avoid the complex calculation and programming in the traditional optimal designing.
使用MATLAB中的非线性优化模块(NCD模块),对控制系统中的PID参数进行优化设计,方法简单、结果精确,同时也避免了以往优化设计中复杂的计算和编程。
5) NCD blockset
NCD模块
1.
Accor-(ding) to its special control demands, the optimal design of the system is then carried out by using the control law design method based on suboptimal control method with measurable states and NCD blockset based on Matlab.
在分析了压水型反应堆功率控制系统的前提下,针对其特殊的控制要求,运用基于输出反馈的次最优控制的设计方法和Matlab中的NCD模块,最终实现了系统的优化设计,并对系统进行了某一功率水平下的仿真试验和其它工况下的鲁棒性试验。
6) non-linear design
非线性设计
1.
This paper also analyzes the binding patterns,binding materials,Layout design,presented to explore the methods on how to use the non-linear theory in binding design,and further analyzes the innovative spirit and humanistic qualities of the non-linear design that give us inspiration in the creative design of the binding.
从装帧形态、装帧材料、编排方面探讨非线性理论在装帧设计中的应用,从而进一步分析非线性设计理念中的创新精神和人文特质对装帧的创意设计带来怎样的启发。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条