1) microwave dielectric properties testing
微波介电特性测试
2) microwave dielectric properties
微波介电特性
1.
Preparation and microwave dielectric properties of polyaniline-Si/C/N composites;
聚苯胺与Si/C/N复合粉体的制备及其微波介电特性
2.
The effects of the B2O3 on the sinterability and microwave dielectric properties of Ca[(Li1/3Nb2/3)0.
研究了B2O3对陶瓷的烧结性能及微波介电特性的影响。
3.
A new method is described for determining the microwave dielectric properties of solid materials,for example agricultural products,mineral,of known densities from the dielectric properties of pulverized samples measured by employing the short circuited waveguide principle at a few different bulk densities.
本文介绍一个测定不能进行机械加工的“坚实材料”（农产品或矿物）的微波介电特性的新方法。
3) microwave permittivity
微波介电特性
1.
Synthesis of carbon nanotube/polyaniline composite nanotube and its microwave permittivity;
碳纳米管/聚苯胺纳米复合管的制备及其微波介电特性研究
4) microwave dielectric spectrum detection
微波介电检测
1.
The time-resolved spectra of free and shallow-trapped photoelectron are obtained by microwave dielectric spectrum detection technology for pure and reduction sensitized AgCl emulsion.
主要利用微波介电检测技术,测得自由光电子与浅束缚光电子衰减行为随还原增感浓度的变化。
5) microwave dielectric properties
微波介电性能
1.
The effect of preparing process on the synthesizing,sintering behavior and microwave dielectric properties of 0.
3NdAlO3(CTNA)粉体,研究了制备工艺对CT-NA陶瓷的合成过程和微波介电性能的影响。
2.
The sinterability,microstructure and microwave dielectric properties of Ba5(Nb1–xSbx)4O15(0≤x≤0.
2)陶瓷的烧结特性、显微结构和微波介电性能。
3.
Sintering behavior and microwave dielectric properties of as-sintered samples were investigated by Archimedes method and network analyzer.
采用甘氨酸-硝酸盐法(GNP)合成了LaAlO3钙钛矿氧化物,并采用差热-失重(DTA-TG)分析、X-射线衍射仪(XRD)和粒度分析等方法对产物的形成过程和粉体性能进行了研究,用阿基米德排水法和网络分析仪分别研究了烧结体的烧结性能和微波介电性能。
6) microwave permittivity
微波介电性能
1.
The effects of preparation technology, N content and phase composition on the microwave permittivity of the powders were investigated.
采用化学气相沉积方法,在1200℃~1600℃温度范围内,于不同的NH3流量条件下,合成了Si/C/N纳米粉体,研究了粉体的制备工艺、成分、相组成与其微波介电性能之间的关系。
补充资料：绝缘材料介电性能测试
绝缘材料的介电性能直接关系这些材料在电工设备中的应用，绝缘材料介电性能测试主要包括绝缘电阻率、相对介电常数、介质损耗角正切（见介质损耗）及击穿电场强度等的测试。测试的结果受很多因素影响，如受环境条件（温度、湿度、气压等）、测试条件（如施加电压的频率、波形、电场强度等）、电极与试样的制备等的影响。因此，必须按有关标准的规定进行测试。
绝缘电阻率测试 通常采用三电极系统（图1）。可以分别测出体积电阻率ρv和表面电阻率ρs。对于平板试样对于管状试样式中u为施加于试样的直流电压，Iv、Is分别为流过试样体积和表面的电流,D1、D2、g分别为电极的直径以及电极间的间隙, L、r1、r2、d分别为电极长度、试样的内外半径及厚度。电极材料可用粘贴铝箔、导电橡皮、真空镀铝、胶体石墨等。在特殊情况下，例如测量薄膜的ρv、ρs，可用二电极系统。
相对介电常数(εr)测试 相对介电常数通常是通过测量试样与电极组成的电容、试样厚度和电极尺寸求得。
应用三电极时，对于平板试样，由于平板电容Cx的计算公式是根据实际经验修正为对于管状试样，由于圆柱形电容Cx的计算公式是根据实际经验修正为式中Cx为试样电容(法)，L为电极长度(米)，D1为电极直径(米)，g 为电极间的间隙(米)，d 为试样厚度(米)，r1、r2为试样的内外半径。
应用二电极时
式中Cx为试样电容，Cm为测量电容,C0为试样的几何电容，Ce为试样的边缘电容，Cg为试样的对地电容。
介质损耗角正切(tan δ)的测定 通过测量试样的等效参数经计算求得。也可在仪器上直读。在工频、音频下一般都用电桥法测量,高电压时采用西林电桥法（图2）。电桥平衡时式中CN为标准电容，C4为可调电容，R4为固定电阻,R3为可调电阻。
当频率为几十千赫到几百兆赫范围时，可用集总参数的谐振法进行测量（图3）。使频率和电感保持恒定，在接入试样和不接试样时调节调谐电容使电路谐振。若接试样时C＝Cs，不接试样时C＝Cns，则试样电容的测量结果是Cx＝Cns-Cs这时可用变Q值法和变电纳法计算试样的tan δx。在变Q值法中是根据接入试样且回路谐振时的 Q值(Qi)与不接试样且回路谐振时的Q值(Q 0)的变化来计算损耗角正切，即式中Cr是回路的总电容，除谐振电容外，包括试样的零电容、接线电容等。变电纳法是根据接试样时谐振曲线的半功率点的宽度△C1(图4) 和不接试样时相应的宽度△C0的变化来计算损耗角正切，即
在这些测试中，选择电极极为重要。常用的是接触式电极。可用粘贴铝箔、烧银、真空镀铝等方法制作电极，但后者不能在高频下使用。低频测量时，试样与电极应屏蔽。在高频下可用测微电极以减小引线影响。在某些特殊场合，可用不接触电极，例如薄膜介电性能测试和频率高于30兆赫时介电性能的测量。
击穿电场强度测定 绝缘材料的击穿电场强度以平均击穿电场强度(EB)表示式中uB为击穿电压，d 为试样的平均厚度。
工频下击穿电场强度的试验线路如图5。R0通过调压器使电压从零以一定速率上升，至试样被击穿，这时施加于试样两端的电压为击穿电压。测击穿电场强度时，电极需照有关标准的规定。
击穿电压可用静电电压表、电压互感器(见互感器)、放电球隙等仪器并联于试样两端直接测出。击穿电压很高时，需采用电容分压器。冲击电压下的击穿电场强度测试，一般用冲击电压发生器产生的标准冲击电压施加于试样，逐级升高冲击电压的峰值直至击穿。冲击电压可用50％球隙放电法、也可用阻容分压器加上脉冲示波器或峰值电压表测量。
绝缘电阻率测试 通常采用三电极系统（图1）。可以分别测出体积电阻率ρv和表面电阻率ρs。对于平板试样对于管状试样式中u为施加于试样的直流电压，Iv、Is分别为流过试样体积和表面的电流,D1、D2、g分别为电极的直径以及电极间的间隙, L、r1、r2、d分别为电极长度、试样的内外半径及厚度。电极材料可用粘贴铝箔、导电橡皮、真空镀铝、胶体石墨等。在特殊情况下，例如测量薄膜的ρv、ρs，可用二电极系统。
相对介电常数(εr)测试 相对介电常数通常是通过测量试样与电极组成的电容、试样厚度和电极尺寸求得。
应用三电极时，对于平板试样，由于平板电容Cx的计算公式是根据实际经验修正为对于管状试样，由于圆柱形电容Cx的计算公式是根据实际经验修正为式中Cx为试样电容(法)，L为电极长度(米)，D1为电极直径(米)，g 为电极间的间隙(米)，d 为试样厚度(米)，r1、r2为试样的内外半径。
应用二电极时
式中Cx为试样电容，Cm为测量电容,C0为试样的几何电容，Ce为试样的边缘电容，Cg为试样的对地电容。
介质损耗角正切(tan δ)的测定 通过测量试样的等效参数经计算求得。也可在仪器上直读。在工频、音频下一般都用电桥法测量,高电压时采用西林电桥法（图2）。电桥平衡时式中CN为标准电容，C4为可调电容，R4为固定电阻,R3为可调电阻。
当频率为几十千赫到几百兆赫范围时，可用集总参数的谐振法进行测量（图3）。使频率和电感保持恒定，在接入试样和不接试样时调节调谐电容使电路谐振。若接试样时C＝Cs，不接试样时C＝Cns，则试样电容的测量结果是Cx＝Cns-Cs这时可用变Q值法和变电纳法计算试样的tan δx。在变Q值法中是根据接入试样且回路谐振时的 Q值(Qi)与不接试样且回路谐振时的Q值(Q 0)的变化来计算损耗角正切，即式中Cr是回路的总电容，除谐振电容外，包括试样的零电容、接线电容等。变电纳法是根据接试样时谐振曲线的半功率点的宽度△C1(图4) 和不接试样时相应的宽度△C0的变化来计算损耗角正切，即
在这些测试中，选择电极极为重要。常用的是接触式电极。可用粘贴铝箔、烧银、真空镀铝等方法制作电极，但后者不能在高频下使用。低频测量时，试样与电极应屏蔽。在高频下可用测微电极以减小引线影响。在某些特殊场合，可用不接触电极，例如薄膜介电性能测试和频率高于30兆赫时介电性能的测量。
击穿电场强度测定 绝缘材料的击穿电场强度以平均击穿电场强度(EB)表示式中uB为击穿电压，d 为试样的平均厚度。
工频下击穿电场强度的试验线路如图5。R0通过调压器使电压从零以一定速率上升，至试样被击穿，这时施加于试样两端的电压为击穿电压。测击穿电场强度时，电极需照有关标准的规定。
击穿电压可用静电电压表、电压互感器(见互感器)、放电球隙等仪器并联于试样两端直接测出。击穿电压很高时，需采用电容分压器。冲击电压下的击穿电场强度测试，一般用冲击电压发生器产生的标准冲击电压施加于试样，逐级升高冲击电压的峰值直至击穿。冲击电压可用50％球隙放电法、也可用阻容分压器加上脉冲示波器或峰值电压表测量。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条