1) Deep integrating
深度集成
2) hypogene enrichment
深成富集
3) skin depth
集肤深度
1.
In view of disadvantages in present defect reconstruction methods,such as over-long time or excessive need for training samples,a new defect reconstruction method based on similar model and genetic algorithm was investigated as follows:similar model between non-axisymetric defect and axisymetric defect was represented,and proportionality factor was deduced by skin depth equation.
针对以往缺陷重构方法中普遍存在的计算时间长或需要大量训练样本的缺点,提出一种基于相似模型和遗传算法的缺陷快速重构方法,分析非轴对称缺陷与轴对称缺陷之间存在的相似模型,并利用集肤深度公式推导出两者之间的缩比因子,从而将耗时巨大的缺陷重构问题转换为二维轴对称情况下的计算问题;同时为进一步缩短重构时间,提出一种加快遗传算法收敛速度的方法。
2.
Based on the current distribution regularity of a conductor, this paper analyzed the shortcomings of the present mesh approaches, and determined the calculation method to obtain the mesh numbers of the equal area mesh, put forward a novel multi-skin depth non-even mesh method (MSDNEMM), which is applicable to the high frequency and large dimension conductor.
该文基于导体电流的分布规律,分析现有剖分方法的缺点,确定相等面积不均匀剖分数的计算方法,提出一种基于集肤深度的新型不均匀剖分方法,当频率较高或导体尺寸较大时,只需较少的剖分单元就可得到准确的计算结果,并经实验进行了验证。
5) grown-up deepness
成熟深度
6) Forming depth
成形深度
补充资料：BCS穿透深度（BCSpenetrationdepth）
BCS穿透深度（BCSpenetrationdepth）
对纯超导体，由BCS电流方程，在伦敦极限下（`\xi_0\lt\lt\lambda`或$l\lt\lt\xi_0$）的穿透深度与伦敦穿透深度λL(T)相符。对非纯超导体（含杂质），在伦敦极限下为
$\lambda(T)=\lambda_L(T)(1 \xi_0//l)^{1/2}$
一般地，λL(T)由经验公式表示其与温度T的关系（见“伦敦穿透深度”）。在皮帕德极限下（$\xi_0\gt\gt\lambda$或$\xi_0\lt\ltl$），ξp=ξ0，则给出为
$\lambda(T)=\frac{8}{9}\lambda_L(T)[\frac{sqrt3\xi_0}{2\pi\lambda_L(T)}]^{1/3}$
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条