1) stacking fault energy
层错能
1.
Thermodynamic calculation on the influence of W and Co on the stacking fault energy of Ni alloys;
W、Co对Ni合金层错能影响的热力学计算
2.
The influence of elements W and Co on the stacking fault energy of Ni-6Al alloys and the influences of the element Al on SFE of Ni-5W and Ni-5Co alloys have been analyzed.
运用置换原子计算层错能的热力学模型,计算了Ni-Al-W,Ni-Al-Co合金的层错能。
3.
The direct relationship between stacking fault energy and phase transformation driving force of austenitic steels and the effect of stacking fault energy and strain energy on the morphology of martensite are deduced.
导出了在奥氏体钢中相变驱动力与层错能的关系以及层错能和应变能对马氏体形态的影响规律。
2) fault energy
层错能
1.
The results show that the deformation texture of 1420 alloy plate is enhanced with trace Er added in,and the enhancement of brass texture B{011}<211> is the most prominent,which is attributed mainly to the effect of Er on decreasing fault energy of 1420 alloy and the high interaction energy between Er and dislocation.
结果表明,微量Er能够增强1420合金板材变形织构,其中黄铜织构B{011}<211>增强最为明显,其主要原因是加入微量Er可降低1420合金的层错能,同时Er与位错之间存在较高的交互作用能。
2.
Mechanism of the twinning induced transformation,impact of stacking fault energy on TWIP effect and impact of microstructure on mechanical properties of the steel were introduced.
介绍了孪晶诱发相变的微观机理,层错能对TWIP效应的影响以及显微组织对钢的力学性能的影响。
3.
The mechanism of twinning induced plasticity,the impact of stacking fault energy on TWIP effect and the excellent mechanical properties of TWIP steel are emphatically introduced.
综述了新型孪生诱发塑性钢(TW IP)研究的进展,重点介绍了孪生诱发塑性的机制、层错能对TW IP效应的影响和TW IP钢优异的力学性能。
3) Low stacking fault energy
低层错能
4) intrinsic stacking fault energy
内禀层错能
1.
The intrinsic stacking fault energy of three Fe-Mn-Si alloys was calculated ac-cording to the thermodynamic model of stacking fault energy.
根据层错能的热力学模型,计算了三种 Fe-Mn-Si 合金的内禀层错能。
5) generalized stacking fault energy
广义层错能
1.
Calculation on generalized stacking fault energy of zigzag single-walled carbon nanotubes;
锯齿型单壁碳纳米管的广义层错能计算
补充资料：层错
层错
stacking fault
层错stacking fauit晶体原子层理想完整堆垛次序中出现的一个差错限排)。全称堆垛层错。是晶体中常见的一种面缺陷。以fcc晶体为例说明。fcc晶体fec理想堆垛可以视为由全同的{111}原子面密积堆垛而成(见图)。如称第一层为A，则第二层落在B位置，第三层落在C位置，第四层又为A位置。如此重复堆垛，形成无限序列…A B C A BC…，这就是理想的完整晶体。若有某生个B层在A层之上整个滑’移到C位置(1/6<112>滑移)，即是实现如下的进程: …ABC ABC ABC… CA BCA…于是原序列…A B C A B C A BC.二变为 .”A B cA{一c A B c A Bc…可见在l标记之处出现一个堆垛次序之误排，这里就是一个层错。在l处抽去一个B层，让上面的C层落下至A层之上，也形成同样的层错。在fcc晶体中通常有3种主要的设想的操作过程形成层错:①{111}面的1/6(112>滑移;②抽去一个{111}层，并令上下岸弥合;③插入一个{111}层。后两种过程可以通过空位或1 14填隙原子的凝聚而实现。 hcp晶体在(0001)面也可以形成层错。(0001)面的堆垛次序为…ABABAB.一若变为…ABA那BCB…，则在l处出现一个层错。bcc晶体{112}面为6层，为一个周期的堆垛，在此面上也可形成层错。其他各种不同晶体中可能出现的层错形式视其结构差异而不同。 层错单位面积的表面能称为层错能，一般记为补在密集结构晶体中，层错的引入不改变最近邻关系，只改变次近邻关系，且几乎不产生畸变，所以层错能的主要来源应是电子能。层错能可以用电子显微术观察而实测，或从一些其他观测结果推出，也可以理论计算。其数值例如在AI中为数百尔格每平方厘米，而在Au中则仅数十尔格每平方厘米。 层错的边界为不全位错，层错的存在和性质制约这些不全位错的运动。(杨顺华)
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参考词条