1) dielectric charge
介电电荷
1.
The occurrence of dielectric charge originates from leakage currents (Ohmic current,Frenkel Poole current) through the dielectric,the charge carriers are trapped by the traps from the leakage current and accumulated,.
就介电电荷以及它对电容式RF MEMS开关可靠性的影响进行了分析,在前人的基础上建立起了一个更加全面和准确的介电电荷积累及其相关可靠性模型。
2) charged top pion
荷电Top介子
1.
The corrections of the charged top pions are significantly large in most of the parameter space.
我们发现 ,Top介子对顶夸克产生截面σtt修正的贡献是主要的 ,在大部分参数空间里 ,荷电Top介子的修正很大 。
3) charged technipion
荷电人工色介子
4) dual-dielectric charge storage device
双介质电荷存储器件
5) dielectric
[英][,daii'lektrik] [美][,daɪɪ'lɛktrɪk]
介电
1.
Design parameters of dielectric seed separators;
介电式种子分选机设计参数的研究
2.
Electric field of dielectric seed separator;
介电式种子分选机电磁场的研究
3.
Study on ferroelectric and dielectric properties of W-doped CaBi_4Ti_4O_(15)-based ceramics;
钨掺杂CaBi_4Ti_4O_(15)基陶瓷的介电和铁电性能研究
补充资料：复介电常数
复介电常数
complex dielectric constant
倒￡“ED(t)=“(田)及cos田t+￡，，(留)凡sin山t(1)相角子，即式中:/(。卜会cos“(。)，:。(。卜会sin“(。)(2)tg占=损耗电流11_f充电电流Ic一万 (7)即在交变电场下，D(t)和E(t)的关系要用两个物理量口和了来表征。上式中，相位占和了、了都是频率的函数，且与温度和电介质结构密切相关。 D(t)可分解为两个分量:一个与E同相位，另一与E有90。相位差。如将上述关系用复数表示，且令君*=Eoe，“‘，D*=Doej(“一泞)，则刀‘与E*的关系可表示为 D*(t)=‘*(臼)E*(t)(3)在式中引入复数介电常数扩=了一j已，则 二(田卜;斜一会一‘一‘(田卜j一‘。，“， 静态时，。=0、占=0。即￡，，=O，式(3)可表示为D=二，(0)E，其中￡，(O)即为静态介电常数￡s。可见，g(。)是静态介电常数在交变场下的推广，e’(。)称为频率依赖的介电常数。 动态时，在真空电容器中，电流虽然超前电场二/2，但由于占=0，而不产生损耗;故在具有介电常数的电容器中，单位时间、单位体积中损耗的能量评，可由E及与E同相的电流分量。扩E的乘积表示，即]。“E图1电介质中交流电场E 与电流I的矢量图部和虚部表示，而弛豫时间为 根据复介电常数定 义，由式(4)并经简化 处理后可得 ￡*(臼)=￡‘(臼)一j￡“ 6二一己。/。、 t田】=E。十二~一，犷一一~气己少 1一」田T 上式称为德拜公式，用 来表征复介电常数的频 率特性。如将其分成实:时，则得已=昆+65一三.l+田2r2(￡。一氛)田T1十田2丁2 已，，tg口一=万，二 Q(‘s一几)田丁￡s+氛田2丁2 (9)(10)(11)W一晋DOEOS‘n“一晋“‘“一‘E’“‘g“(5，合(￡·l一(去‘一‘。210 10()四T由于了的变化不大，因而能量损耗与复介电常数的虚部已成正比。式(4)中了(动称为介质的损耗因子。式(5)中占称为介质损耗角，tg沙称为介质损耗角正切或介电耗散因子。 在交流电路中，若置介质于平板电容器中，并在两极间外加交流电压V V=Voej“。.，_L一~~，卜。尸。
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参考词条