1)  LPC900
LPC900微处理
2)  LP
LP
1.
The Implementation of ACELP Speech Coding Algorithm Based on DSP Device;
基于DSP器件的ACELP语音编码算法的实现
2.
The anti-microbial activities of LP and the effect factors including concentration, pH, temperature were studied by spectrophotometric investigation, aperture pervasion method, and dry cel1 weight investigation.
分别采用分光光度法、菌体量法及孔扩散法研究了乳过氧化物酶(简写LP)对细菌和霉菌的抑菌活性及LP浓度、pH值和温度对抑菌活性的影响。
3.
The paper designs the special PLC microprocessor SOC module FSPLC,integrated such the modules as LP , BP , MBI , CBI , BBI designed by oneself ,etc.
设计了一种专用PLC微处理器SOC模块FSPLC,基于IP核复用方法和SOC技术复用第三方AVRAT90S1200IP核基础上集成了自行设计的LP、BP、MBI、CBI、BBI等模块,以AlteraNiosII开发板作为验证平台对实际的PLC应用程序做了可行性验证,FSPLC具有快速处理PLC梯形图程序、快速处理指令表语句中复杂的嵌套逻辑运算、PLC之间CAN总线通讯等优点。
3)  LP a
LP-a
4)  Lipoprotein(a)
Lp(a)
1.
The Association of Serum Lipoprotein(a) Levels and Apolipoprotein(a) Pentanucleotide Repeats Polymorphism, Cytokines Among the Hemodialysis Patients;
血液透析患者Lp(a)与Apo(a)PNR、细胞因子等关系研究
5)  L p-L p' estimates
Lp-Lp'估计
6)  LP-MOCVD
LP-MOCVD
1.
The Study of InAs_xSb_(1-x) on GaSb Substrate Grown by LP-MOCVD;
GaSb衬底上外延InAs_xSb_(1-x)材料的LP-MOCVD研究
2.
Control of In Content for InGlP Double Heterojunction Grown by LP-MOCVD;
LP-MOCVD生长InGaAlP双异质结中In组分控制的研究
3.
The Study on Multiple Quantum Well of TensileStrained InGaAs/InP Grown by LP-MOCVD;
LP-MOCVD生长伸张应变InGaAs/InP多量子阱的研究
参考词条
补充资料:单片式微处理器
      利用大规模和超大规模集成电路技术,在一个微小的硅片上制作的中央处理器。芯片包括中央处理器的主要部分,如控制逻辑电路,指令译码、运算和处理电路等。单片式微处理器用 MOS电路工艺制成。第一个单片式微处理器是美国的intel 4004型4位微处理器,于1971年投产。后又试制出 8位的intel 8008微处理器。而第一个指令系统比较完整、功能较强的 8位单片式微处理器,则是1973年生产的8080。到80年代初已有16位、32位高性能单片式微处理器,性能已接近或超过一些小型计算机。
  
  
  单片式微处理器8080由寄存器组、算术逻辑部件、时序逻辑电路和指令操作控制部件等组成。外部采用三总线(数据总线、地址总线、控制总线)结构,与存储器、输入输出等接口电路相联接(见图)。由地址总线决定从存储器(或接口电路)的某单元取的指令码(或数据),通过数据总线送到指令操作控制部件(数据送到寄存器组或累加器)。经过译码后,在时序逻辑电路配合下产生一系列控制信号,协调算术逻辑部件、寄存器组和外部电路工作。算术逻辑部件完成加、减和逻辑运算;寄存选择器组存放运算的原始数据和中间结果。
  
  8位和16位单片式微处理器采用 NMOS工艺和HMOS工艺(见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路、高性能金属-氧化物-半导体集成电路),速度快,使用单电源5伏,可与晶体管-晶体管逻辑电路(TTL)兼容。肖特基TTL电路用于位片式微处理器。CMOS电路工艺因其特有的优点如功耗少、抗干扰性能好、环境适应范围大等而受到重视。
  
  在NMOS电路工艺中,反相器采用增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路,有利于提高电路速度和减小芯片面积。触发器采用双相时钟(有的是内部产生)准静态电路;寄存器组采用存储器结构;指令操作控制早期采用随机逻辑电路,以节省芯片面积和提高操作速度,后为可编程序的逻辑阵列或微程序只读存储器。这有利于芯片版图的规整,易于修改设计和调试。因MOS电路驱动能力弱,在输出级采用大面积的推挽式驱动器,以驱动外界一个标准TTL逻辑电路负载。
  
  微处理器发展迅速,新产品不断出现。一方面向高性能发展,如采用流水线技术,面向操作系统和高级语言的指令系统,实现软件透明的多重处理,支持浮点运算和提高虚拟地址空间等。用超大规模集成技术在一个芯片上制作几十万个元件(包括MOS晶体管),实现过去用软件完成的工作。工艺上采用小于2微米的沟道,可使门延迟小于200皮秒,芯片主频率提高到12兆赫以上。另一方面,单片式微处理器向低造价、大批量的微控制器发展,即在一个芯片上包括中央处理器(4位、8位、16位)、数据存储器、输入输出接口电路、数-模和模-数转换器、时钟电路、定时器和固化的程序存储器等。
  

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