1) tellurium thin films
碲薄膜
2) CdTe thinfilm
碲镉薄膜
3) Te-rich PbTe films
富碲碲化铅薄膜
4) ZnS 1-x Te x alloy thin film
碲硫锌薄膜
5) CdZnTe film
碲锌镉薄膜
1.
The LPE CdZnTe films on CdZnTe substrate show good composition and uniformity,good crystal quality.
文章报道了采用液相外延方法,在碲锌镉衬底上进行碲锌镉薄膜缓冲层生长的情况,并且采用X光双晶衍射仪、X光形貌仪、红外傅里叶光谱仪、二次离子质谱仪等手段对碲锌镉薄膜进行了表征,碲锌镉薄膜具有较好地组分及均匀性,晶体结构质量也较好。
6) HgCdTe film
碲镉汞薄膜
1.
Metalorganic chemical vapour phase deposition (MOCVD) is a very important technique to grow high quality HgCdTe films for fabrication of infrared focal plane arrays (IRFPAs).
文中讨论了汞源温度、生长温度、衬底材料及互扩散多层工艺 (IMP)等因素在MOCVD外延生长碲镉汞薄膜过程中的作用机理 ,并选择合适的生长条件获得了质量优良的碲镉汞薄膜。
2.
Large area n-on-p structures of p-n junction with different proton implantation doses are fabricated on the moleculer beam epitaxial grown HgCdTe films for mid-infrared wavelength region.
基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元 ( 5 0 0 μm× 5 0 0 μm)的n on p结构的p n结 ,并对相应的p n结的电流 电压 (I V)特性进行了研究 。
补充资料：二烷基碲二烷基碲
分子式：
CAS号：
性质：通式为R1TeR2的一类化合物。由氧化二烷基碲(R2TeO)用亚硫酸还原；二烷基二碲在300℃条件下热分解或用碲与烷基汞反应而得。与氯反应生成二氯化二烷基碲；氧化生成亚碲酸；与卤代烃反应生成卤化三烷基碲盐。是合成有机碲化合物的中间物。
CAS号：
性质：通式为R1TeR2的一类化合物。由氧化二烷基碲(R2TeO)用亚硫酸还原；二烷基二碲在300℃条件下热分解或用碲与烷基汞反应而得。与氯反应生成二氯化二烷基碲；氧化生成亚碲酸；与卤代烃反应生成卤化三烷基碲盐。是合成有机碲化合物的中间物。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条