2) dynatron effect
负阻效应
1.
The existence and characteristics of dynatron effect in the components and parts of several appara- tus have been studied and proved in this paper.
对负阻效应在实际几种元器件中的存在及特性进行了研究和证明,重点研究了利用运算放大器构成的负阻抗变换器的变换阻抗性质。
2.
Based on the research on the characteristic of the dynatron component and parts of an apparatus, the concept of dynatron effect was educed, and the engendering mode and principle was discussed.
在对负阻元器件特性进行研究和分析的基础上引出负阻效应的概念,对负阻效应产生方式和原理进行了论述。
3) near negative resistance effect
类负阻效应
1.
The results showed that the films have near negative resistance effect which is found more obvious between layers than on film surface,and the interlayer resistivity is higher than surface resistivity.
电性能检测表明Ti/TiO2多层膜存在类负阻效应,多层膜的层间的类负阻效应比表面的更明显,薄膜的层间电阻率高于表面电阻率;用分光光度计测得试样退火前后的透射谱;用X射线衍射仪和扫描电镜检测了Ti/TiO2多层膜的晶体结构和表面形貌。
4) Negative damping effect Damping
负阻尼效应
5) negative differential resistance
负电阻效应
1.
The applied gate voltage gives rise to negative differential resistance (NDR).
通过直流栅电压的作用室温时产生负电阻效应。
6) positive and negative effects of resistance
正、负阻效应
补充资料：半导体负阻发光器件
用发光材料制造的具有正向电压负阻型的结发光二极管，其正向υ-I特性呈S形(图1)。当正向电压达到导通电压υS时，二极管由高压关态（高阻态）经过负阻过程达到低压通态(低阻态)。描述正向电学导通特性的主要参数是:导通电压υS;导通电流IS;维持电压υH；维持电流IH；导通时间τon；关断时间τoff。描述发光特性的参数与一般发光器件相同。常用的结构有PNPN型及 PIN型。所用材料为GaAs、GaInAsP、GaP、GaAsP等。PIN型器件的电性能和发光性能不佳。PNPN型负阻发光器件的电导通原理，可用等效双晶体管模型的电学正反馈作用来描述。用某种方式使二极管导通（电导通或光导通）后，由于少数载流子注入到发光有源区，产生辐射复合发光（包括受激发射）。
一个良好的PNPN负阻发光器应满足两方面的要求。①电学上的完全导通:即在正向通态时,由于中间PN结两侧载流子存储作用使该结变成正偏置，这时整个二极管压降应为一个简单的PN结大注入时的结压降，例如GaAs应为1.5伏左右。这时,器件具有最大的通态电流密度和最小的结功耗，称为电学完全导通。②良好的发光特性：除了材料的质量要求外，在结构上应使发光区有良好的载流子限制和光限制，使之具有高的发光效率。采用适宜的多层异质结构，可能使这些要求得到兼顾。
对器件结构的这两项要求，可用双晶体管模型来分析（图2）。
在整个负阻区和通态区,完全导通的条件是：
α1+α2＞1
式中 α1和α2是第一晶体管和第二晶体管的共基极直流短路电流放大系数，它们分别与各自的发射结注射效率γ、基区输运系数β、收集结收集效率α*有关：α1＝γ1·β1·α;α2＝γ2·β2·α（在接近υS电压下还须考虑雪崩倍增作用）。通常选取第一晶体管的基区作为发光区。为使从发射结注入到有源区的少数载流子的限制作用完全有效，则β1应为零，即第一晶体管发射结注入基区的载流子不能达到收集区，这时，在中间PN结两侧的载流子存储不足以构成电学正反馈作用，只能类同于单个晶体管，不产生负阻或由于雪崩倍增作用产生二极管端压降很高的负阻通态。因此，为使完全电导通特性和发光特性能较好地统一起来, 应尽可能增大γ1、γ2、β2,不能使β1完全等于零但接近于零，从而使α2尽可能接近于1,α1接近于零但不等于零。例如,对于GaAlAs/GaAs异质结对，能较好满足上述要求的器件结构为N-Ga1-xAlxAs/P-GaAs/P-Ga1-yAlyAs/ P-GaAs/N-GaAs/P-Ga1-zAlzAS(x≥0.2,y≤0.2,z≈0.1)。这种结构的激光器,电导通性能良好，激射特性也很接近于一般双异质PN结激光器。
器件用作开关激光器时，激射阈电流密度应小于器件本身提供的通态最大电流密度。器件导通可采用电触发、光触发等方式。适当选择电路负载，在光触发时器件具有光学放大、双稳及开关作用。这类器件一般选用GaAlAs/GaAs，GaInAsP/InP等制造。
这种器件电路简单，调制容易，可借以实现多功能，适用于通信、自动控制、发光显示等方面。
一个良好的PNPN负阻发光器应满足两方面的要求。①电学上的完全导通:即在正向通态时,由于中间PN结两侧载流子存储作用使该结变成正偏置，这时整个二极管压降应为一个简单的PN结大注入时的结压降，例如GaAs应为1.5伏左右。这时,器件具有最大的通态电流密度和最小的结功耗，称为电学完全导通。②良好的发光特性：除了材料的质量要求外，在结构上应使发光区有良好的载流子限制和光限制，使之具有高的发光效率。采用适宜的多层异质结构，可能使这些要求得到兼顾。
对器件结构的这两项要求，可用双晶体管模型来分析（图2）。
在整个负阻区和通态区,完全导通的条件是：
式中 α1和α2是第一晶体管和第二晶体管的共基极直流短路电流放大系数，它们分别与各自的发射结注射效率γ、基区输运系数β、收集结收集效率α*有关：α1＝γ1·β1·α;α2＝γ2·β2·α（在接近υS电压下还须考虑雪崩倍增作用）。通常选取第一晶体管的基区作为发光区。为使从发射结注入到有源区的少数载流子的限制作用完全有效，则β1应为零，即第一晶体管发射结注入基区的载流子不能达到收集区，这时，在中间PN结两侧的载流子存储不足以构成电学正反馈作用，只能类同于单个晶体管，不产生负阻或由于雪崩倍增作用产生二极管端压降很高的负阻通态。因此，为使完全电导通特性和发光特性能较好地统一起来, 应尽可能增大γ1、γ2、β2,不能使β1完全等于零但接近于零，从而使α2尽可能接近于1,α1接近于零但不等于零。例如,对于GaAlAs/GaAs异质结对，能较好满足上述要求的器件结构为N-Ga1-xAlxAs/P-GaAs/P-Ga1-yAlyAs/ P-GaAs/N-GaAs/P-Ga1-zAlzAS(x≥0.2,y≤0.2,z≈0.1)。这种结构的激光器,电导通性能良好，激射特性也很接近于一般双异质PN结激光器。
器件用作开关激光器时，激射阈电流密度应小于器件本身提供的通态最大电流密度。器件导通可采用电触发、光触发等方式。适当选择电路负载，在光触发时器件具有光学放大、双稳及开关作用。这类器件一般选用GaAlAs/GaAs，GaInAsP/InP等制造。
这种器件电路简单，调制容易，可借以实现多功能，适用于通信、自动控制、发光显示等方面。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条