1) differential negative resistance effect
微分负阻效应
1.
An important feature of the velocity-field characteristics is a differential negative resistance effect in steady state electron drift velocity.
在平均漂移速度 -电场特性中发现了微分负阻效应 。
2) negative differential resistance
负微分电阻效应
1.
We have proposed the random fuse network model (RFN) to investigate the electric transport properties in manganites, and well explained the steplike negative differential resistance (NDR) observed in spatial confined manganite structures.
主要工作如下:我们将无规熔丝网路模型引入锰氧化物微纳样品电输运过程的研究,很好地解释了这类空间受限体系展现的多步负微分电阻效应。
3) dynatron effect
负阻效应
1.
The existence and characteristics of dynatron effect in the components and parts of several appara- tus have been studied and proved in this paper.
对负阻效应在实际几种元器件中的存在及特性进行了研究和证明,重点研究了利用运算放大器构成的负阻抗变换器的变换阻抗性质。
2.
Based on the research on the characteristic of the dynatron component and parts of an apparatus, the concept of dynatron effect was educed, and the engendering mode and principle was discussed.
在对负阻元器件特性进行研究和分析的基础上引出负阻效应的概念,对负阻效应产生方式和原理进行了论述。
5) negative differential resistance
微分负阻
1.
The tristable resonant tunneling devices(RTD)with a double negative differential resistance in its I-V characteristics have a high current ratio(5.
在I-V特性曲线上具有双微分负阻的三稳态共振隧穿器件,室温下可以达到较高的电流峰谷比5。
6) near negative resistance effect
类负阻效应
1.
The results showed that the films have near negative resistance effect which is found more obvious between layers than on film surface,and the interlayer resistivity is higher than surface resistivity.
电性能检测表明Ti/TiO2多层膜存在类负阻效应,多层膜的层间的类负阻效应比表面的更明显,薄膜的层间电阻率高于表面电阻率;用分光光度计测得试样退火前后的透射谱;用X射线衍射仪和扫描电镜检测了Ti/TiO2多层膜的晶体结构和表面形貌。
补充资料：半导体的压阻效应
指应力作用下半导体电阻率的变化。在一些半导体中有相当大的压阻效应，这与半导体的电子能带结构有关。
压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δ ρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量)有如下关系:π:k。由于对称二阶张量只有六个独立分量, 故亦可表达成这样，压阻张量可用6×6个的分量来表达。根据晶体对称性，像锗、硅及绝大多数其他立方晶系的半导体，压阻张量只有三个不等于零的分量，即π11、π12和π44。
测量压阻效应，通常有两类简单加应力的方法：①流体静压强效应。这时不改变晶体对称性，并可加很大的压强。锗、硅的电阻率都随压强增大而变大。②切应力效应。利用单轴拉伸或压缩，这时会改变晶体对称性。压阻系数Δ ρ/ ρk，与外力方向、电流方向及晶体结构有关。对锗、硅，压阻系数如下表所示：
20世纪50年代起，压阻效应测量曾作为研究半导体能带结构和电子散射过程的一种实验手段，对阐明锗、硅等主要半导体的能带结构起过作用。锗和硅的导带底位置不同,故其压阻张量的分量大小情况也不同。N型锗的π44比π11、π12大得多,而N型硅的π11却比π12、π44大。这表明锗导带底在<111>方向上，硅导带底在<100>方向上。对于P型半导体,也有过一些工作。利用压阻测量和别的实验（例如回旋共振等）,取得一系列结果,对锗、硅等的能带结构的认识具体化了。
现在,半导体的压阻效应已经应用到工程技术中,采用集成电路工艺制造的硅压阻元件(或称压敏元件)，可把力信号转化为电信号，其体积小、精度高、反应快、便于传输。
压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δ ρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量)有如下关系:π:k。由于对称二阶张量只有六个独立分量, 故亦可表达成这样，压阻张量可用6×6个的分量来表达。根据晶体对称性，像锗、硅及绝大多数其他立方晶系的半导体，压阻张量只有三个不等于零的分量，即π11、π12和π44。
测量压阻效应，通常有两类简单加应力的方法：①流体静压强效应。这时不改变晶体对称性，并可加很大的压强。锗、硅的电阻率都随压强增大而变大。②切应力效应。利用单轴拉伸或压缩，这时会改变晶体对称性。压阻系数Δ ρ/ ρk，与外力方向、电流方向及晶体结构有关。对锗、硅，压阻系数如下表所示：
20世纪50年代起，压阻效应测量曾作为研究半导体能带结构和电子散射过程的一种实验手段，对阐明锗、硅等主要半导体的能带结构起过作用。锗和硅的导带底位置不同,故其压阻张量的分量大小情况也不同。N型锗的π44比π11、π12大得多,而N型硅的π11却比π12、π44大。这表明锗导带底在<111>方向上，硅导带底在<100>方向上。对于P型半导体,也有过一些工作。利用压阻测量和别的实验（例如回旋共振等）,取得一系列结果,对锗、硅等的能带结构的认识具体化了。
现在,半导体的压阻效应已经应用到工程技术中,采用集成电路工艺制造的硅压阻元件(或称压敏元件)，可把力信号转化为电信号，其体积小、精度高、反应快、便于传输。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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