1) Enhanced computing B/S module
增强型B/S结构
2) B/S Framework
B/S结构
1.
Based on B/S Framework,the Design and Realization of Three-dimensional Images Browsing System in Jinan;
基于B/S结构的济南市三维影像浏览系统设计与实现
2.
Development and application of the enterprise scientific research management system based on B/S framework;
基于B/S结构的企业科研管理系统开发与应用
3.
A SAR image processing system is developed based on the B/S framework.
基于B/S结构,开发一个SAR图像处理系统。
3) B/S structure
B/S结构
1.
Design on coal resources management information system base on B/S structure;
基于B/S结构的煤炭资源管理信息系统设计
2.
Research and Application of Hospital OA System Based B/S Structure;
基于B/S结构的医院办公自动化系统研究与应用
3.
Research and implementation of 3D assembly animate based on B/S structure;
基于B/S结构的三维装配动画
4) B/S
B/S结构
1.
The design of knowledge base based on B/S structure in call center;
基于B/S结构的呼叫中心知识库的设计
2.
OA System Design Based on Workflow and B/S Structure;
基于工作流和B/S结构的OA系统设计
3.
Web Application Models Based on B/S Structure;
基于B/S结构的Web应用模型
5) B/S architecture
B/S结构
1.
Tool management system of integrated information based on B/S architecture;
基于B/S结构的集成信息刀具管理系统
2.
Machine Job Managing System of Integrated Information Based on B/S Architecture;
基于B/S结构的机台作业管理系统
3.
Cooperation organization management system of electric power production based on workflow technology and B/S architecture;
基于工作流技术的B/S结构电力生产协同组织管理系统
6) B/S construction
B/S结构
1.
Gathering project of spatial relational database based on the B/S construction;
基于B/S结构空间关系数据库集成方案
2.
Design and implementation of distributed customer relationship management system based on B/S construction;
基于B/S结构的分布式CRM系统的设计与实现
3.
Research of scicntific Management Information System base on B/S construction;
基于B/S结构的科技管理信息系统的研究
补充资料：增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路
耗尽型MOS晶体管用作负载管，增强型MOS晶体管用作驱动管组成反相器（图1），并以这种反相器作为基本单元而构成各种集成电路。这种集成电路简称E/D MOS。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条