说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> Eikonal方程
1)  Eikonal equation
Eikonal方程
1.
A fast marching algorithm is proposed to solve shape reconstruction problems and the general Eikonal equations.
针对形状重建及Eikonal方程求解问题,提出了一种根据曲面曲率动态地对网格进行细化的快速步进法,证明了该方法在一阶差分情形下符合因果律,在实现中利用哈希表对邻接点进行快速定位。
2)  Eikonal approximation method
Eikonal近似方法
1.
We have studied the light scattering characteristics of revolution microspheroid by using Eikonal approximation method and approximate the revolution microspheroid by its effective spheres so that we can use Mie scattering theory to calculate and analysis it.
采用了Eikonal近似方法对旋转微椭球体颗粒光散射进行了理论研究,并把旋转微椭球用其等效的球来近似,进而应用Mie散射理论对旋转微椭球体颗粒光散射进行数值计算,并对计算结果进行了分析。
3)  Eikonal approximation
Eikonal近似
1.
The calculated form factors and differential cross sections of electron scattering on 32S and 28Si by the Eikonal approximation agree with the experimental data.
用平均场与相对论Eikonal近似结合计算出32S和28Si的形状因子和微分截面的结果,与实验值也符合得较好。
2.
The elastic electron scattering process on the first excited state of 17 F is studied with the RMF model and Eikonal approximation.
用相对论平均场理论和Eikonal近似研究了质子晕核17F的第一激发态的电子弹性散射过程 。
4)  eikonal phase shift
eikonal相移
1.
The method of the eikonal phase shift with the first-order correction including the deflection effect due to the coulomb field has been used in the work.
采用包含库仑场影响的一级修正的eikonal相移研究了入射动量为715MeV/C的K+介子与6Li、(12)C核散射及入射动量为800MeV/c的K+介子与(12)C、(40)Ca核散射的微分截面,通过理论微分截面与相应实验数据的拟合,得到了最佳光学势参数,为K+核散射的微观研究提供一定依据。
5)  relativistic Eikonal approximation
相对论Eikonal近似
6)  equation [英][ɪ'kweɪʒn]  [美][ɪ'kweʒən]
方程
1.
Study on the equation of scale-inhibiting efficiency of polyaspartic acid;
聚天冬氨酸阻垢效能方程的研究
2.
A modified equation for correlating experimental data——nonintegral power polynomial equation;
拟合实验数据的新方程——非整数幂多项式方程
补充资料:泊松方程和拉普拉斯方程
      势函数的一种二阶偏微分方程。广泛应用于电学、磁学、力学、热学等多种热场的研究与计算。
  
  简史  1777年,J.L.拉格朗日研究万有引力作用下的物体运动时指出:在引力体系中,每一质点的质量mk除以它们到任意观察点P的距离rk,并且把这些商加在一起,其总和即P点的势函数,势函数对空间坐标的偏导数正比于在 P点的质点所受总引力的相应分力。1782年,P.S.M.拉普拉斯证明:引力场的势函数满足偏微分方程:,叫做势方程,后来通称拉普拉斯方程。1813年,S.-D.泊松撰文指出,如果观察点P在充满引力物质的区域内部,则拉普拉斯方程应修改为,叫做泊松方程,式中ρ为引力物质的密度。文中要求重视势函数 V在电学理论中的应用,并指出导体表面为等热面。
  
  静电场的泊松方程和拉普拉斯方程  若空间分区充满各向同性、线性、均匀的媒质,则从静电场强与电势梯度的关系E=-墷V和高斯定理微分式,即可导出静电场的泊松方程:
  
   ,
  式中ρ为自由电荷密度,纯数 εr为各分区媒质的相对介电常数,真空介电常数εo=8.854×10-12法/米。在没有自由电荷的区域里,ρ=0,泊松方程就简化为拉普拉斯方程
  
   。
  在各分区的公共界面上,V满足边值关系
  
  
  
  
  式中i,j指分界面两边的不同分区,σ 为界面上的自由电荷密度,n表示边界面上的内法线方向。
  
  边界条件和解的唯一性  为了在给定区域内确定满足泊松方程以及边值关系的解,还需给定求解区域边界上的物理情况,此情况叫做边界条件。有两类基本的边界条件:给定边界面上各点的电势,叫做狄利克雷边界条件;给定边界面上各点的自由电荷,叫做诺埃曼边界条件。
  
  边界几何形状较简单区域的静电场可求得解析解,许多情形下它们是无穷级数,稍复杂的须用计算机求数值解,或用图解法作等势面或力线的场图。
  
  除了静电场之外,在电学、磁学、力学、热学等领域还有许多服从拉普拉斯方程的势场。各类物理本质完全不同的势场如果具有相似的边界条件,则因拉普拉斯方程解的唯一性,任何一个势场的解,或该势场模型中实验测绘的等热面或流线图,经过对应物理量的换算之后,可以通用于其他的势场。
  
  静磁场的泊松方程和拉普拉斯方程  在SI制中,静磁场满足的方程为
  
  
  式中j为传导电流密度。第一式表明静磁场可引入磁矢势r)描述:
  
  
  
  在各向同性、线性、均匀的磁媒质中,传导电流密度j0的区域里,磁矢势满足的方程为
  
  
  选用库仑规范,墷·r)=0,则得磁矢势r)满足泊松方程
  
  
  式中纯数μr 为媒质的相对磁导率, 真空磁导率μo=1.257×10-6亨/米。在传导电流密度j=0的区域里,上式简化为拉普拉斯方程
  
  
  静磁场的泊松方程和拉普拉斯方程是矢量方程,它的三个直角分量满足的方程与静电势满足的方程有相同的形式。对比静电势的解,可得矢势方程的解。
  
  

参考书目
   郭硕鸿著:《电动力学》,人民教育出版社,北京,1979。
   J.D.杰克逊著,朱培豫译:《经典电动力学》下册,人民教育出版社,北京,1980。(J.D. Jackson,Classical Electrodynamics,John Wilye & Sons,New York,1976.)
  

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条