1) selective epitaxy
选择性外延
1.
To satisfy the requirement for high performance infrared detector,a selective epitaxy Schottky barrier diode of SiGe was realized based on high quality silicon device.
为了满足高性能的红外探测要求,以高品质硅基器件研制了选择性外延锗硅肖特基二极管。
2) non-selective epitaxy
非选择性外延
1.
Based on the non-selective epitaxy,self-aligned base/emitter and selective implanted collector,a kind of SiGe HBT structure for 1.
基于非选择性外延,基极/发射极自对准和集电区选择性注入,提出了一种可用于1。
3) selective epitaxial growth
选择性外延生长
1.
The selective epitaxial growth (SEG) of Si_ 1-x Ge_x is successfully achieved at a very low temperature by UHV/CVD.
利用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长,并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理。
4) selective area growth
选择外延
1.
High performance 1 57μm spotsize converter monolithically integrated DFB is fabricated by the technique of self aligned selective area growth.
利用选择外延技术研制了 1 5 μmDFB激光器和自对准模斑转换器单片集成器件 。
5) Non-selective pattern epitaxy
非选择性图形外延
6) Elect atomic layer epitaxy
选择原子层外延
1.
Elect atomic layer epitaxy with laser-assisted can be realized.
本文对 MOCVD 激光诱导选择原子层外延进行了研究,设计并制作了一种激光诱导原子层外延生长室结构,该系统能实现低温 MOCVD 生产,可形成稳定的层流,易于生长均匀的外延层,通过激光诱导可实现选择性的原子层外延。
补充资料：选择外延
选择外延
seleeted ePitaxy
选择外延Seleeted epitaxy在半导体单晶衬底表面限定的区域上有选择地进行外延生长的技术。1962年首次出现Si和GaAs选择外延。选择外延通常包括:5102或Si3N;掩膜的沉积并光刻图形开窗孔，选择腐蚀和选择生长3个步骤。以GaAs为例，先用高温热分解含Si有机物在GaAs衬底表面上沉积0 .3一0 .4“m厚的5102膜，随后用常规光刻工艺形成5102窗孔图形，窗孔内露出GaAs衬底表面。选择腐蚀是按外延层预定厚度要求，采用湿法或干法工艺将窗孔内GaAs腐蚀去一部分而形成凹面，最后在凹面上外延生长至高度与5102掩膜表面平齐。实际上，Si和GaAs的选择腐蚀很难控制，因腐蚀太深易产生晶向效应，而且生长时也有晶向效应。不同晶向的晶面有不同的生长速率。要控制生长面高度与5102掩膜相一致，宜采用薄层外延工艺。 早期选择外延应用于平面肖特基二极管，也用于低压选择外延工艺制备 MOSFET和GaAs单片集成电路，可省去器件间隔离时在P型衬底上用扩散工艺制作N型部分。近期用选择金属有机化合物气相沉积(MOCVD)在5102掩膜上预沉积GaAs缓冲层，以满足均匀生长带平滑边缘的GaAs、AIGaAs平面结构，可用在光电器件和GaAs/Si。在半绝缘InP衬底上用常压MOCVD选择生长InGaAsP/InP结构，用于制备高性能激光器。近年来已发展应用到微结构器件，用选择MOCVD法在带5102格子的GaAs衬底上，生长调制掺杂N一AIGaAs/GaAs中极窄的纳米级二维电子气沟道。也开展了GaAs氧化层作掩膜进行以GaAs为基的“原位”选择外延。“原位”意味着可在超高真空或控制气体条件下进行以消除外延过程片子的表面沾污，这更适用于对表面和界面沾污十分敏感的量子线、量子盒器件。原位GaAs氧化层的亚微米窗口上用电子束腐蚀技术开孔，以金属有机化合物分子束外延法已选择生长InGaAs/GaAs异质结构，这项技术对发展新结构器件很有前途。(莫金现)
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参考词条