1) high-power microwave
大功率微波
1.
A new method to measure the complex permittivity of solution at high-power microwave;
大功率微波作用下溶液复介电系数测量新方法
2.
The phases of reflection coefficient,which are used for calculating complex permittivity,can’t be measured exactly under high-power microwave.
为了克服在大功率微波下测量用于计算复介电常数的反射系数相位的困难,使用一对不同特性阻抗的终端开路同轴探头,利用测量得到的反射系数的幅值,并基于电容模型实现了对盐溶液、甲醇/乙醇混合溶液复介电常数的计算,将测量计算结果与文献结果进行对比,证实了这种测量方法的有效性。
2) microwave and high power
微波大功率
1.
GaN-based microwave devices possess potential in microwave and high power applications, and related researches have been a hotspot in the current compound semiconductor area.
GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有应用潜力。
3) microwave power amplifier
微波功率放大器
1.
Simulation design of microwave power amplifier using load-pull method;
基于负载牵引方法的微波功率放大器仿真设计
2.
This paper discusses the two methods,the analysis method and the graphic method,which cause the load and the source impedance matching,in the matching network designing of microwave power amplifier,and compares the advantage and disadvantage of these two methods through an example.
本文讨论了在微波功率放大器的匹配网络设计中,使负载与源阻抗相匹配的两种方法--解析法和图解法,并通过实例分析这两种方法的特点。
3.
The microwave power amplifier is widerly applied in the system of the radar,the communication,the navigation,the earth working station of satellite,and the electronic countermeasure.
微波功率放大器在雷达、通信、导航、卫星地球站、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用。
4) broadband high power microwave
宽带大功率微波
5) high-power microwave system
大功率微波系统
6) HPM sources
大功率微波功率源
补充资料：大功率电力电子器件
大功率电力电子器件
power electronic devices
dagonglU dlonl一d.Qnz一ql]lon大功率电力电子器件(powe:eleetroniedevices)用于处理大容t电功率、能够控制电路通断的电子器件。由于都是半导体器件，故又称电力半导体器件(power semieonduetor deviees)。电力半导体器件是在20世纪50年代初发展起来的半导体学科中与徽电子、光电子并肩迅猛发展的一门高技术。它是电力电子技术的基础和重要组成部分。随着电力半导体器件品种的增多和技术水平的提高，它的应用范围也日渐扩大。其应用范围涉及电力工业(如直流愉电、灵活交流粉电系统)、工业电源(如感应加热、电焊机、大型电解电被设备)、交通运物(如机车牵引、电动汽车)、电机控制(如发电机励磁、交直流电动机的调速)、家用电器(如空调、电热)、通信电源等等。应用领城的佑求(如节能、节材、缩小体积重且)，要求器件的工作叔率、结构以及封装方式等不断扩大及更新，又促进了器件品种和水平的发展。 由于电力半导体器件处理的是能源，减少损耗提高效率是它主要追求的目标.为此，所有电力半导体器件无不工作在开关方式下，这是它与徽电子器件的根本区别.但在组成电路时又需要采取措施对开关方式带来的波形毛刺及谐波等电网公害进行处理。 1947年第一只晶体管的诞生开始了半导体电子学的新纪元。1956年研制成带有开关特性的晶闸管，为半导体在功率控制领域的发展显示了光明的前景。最早发展起来的器件有整流二极管(rectifier diode)和晶闸管(t ransistor)。它们曾经主宰电力电子市场20余年.其品种、规格为了适应市场的需要已经发展成一个魔大的系列。以晶闸管为例，已经派生出高压大电流晶闸管、光控晶闸管、高频快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、门极辅助关断晶闸管、非对称晶闸管等等。这些器件的功能只限于用门极控制电路的开通，故名半控型.自20世纪70年代末开始，由于采用了徽电子技术的工艺成就，制成了大功率晶体管(gianttransistor，GTR)和可关断晶闸管(gate turn一offthyristor，GTO)。这一类器件既能用门极控制开通又能控制关断，故名全控型. 上述器件都是以电子和空穴两种载流子的运动为基础的，所以这类器件被称为双极型器件(bipo肠rdevices)。由于器件工作时两种载流子的产生与复合描要时间，妨碍了器件工作频率的进一步提高。双极型器件一般只能工作在10kH:以下，最高的也只能工作到20~sokH:。由于技术发展，要求其颇率范围日益扩大。
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参考词条