1) RF-MEMS switches
RF-MEMS开关
1.
Bulk micromachining processes and surface sacrificial processes were connected by Si/glass bonding for making RF-MEMS switches.
介绍了一种新的RF-MEMS开关制作工艺,利用静电键合技术将表面微加工工艺与体硅加工工艺结合在一起完成开关上下电极的组合;说明了如何在普通环境下进行图形对准;通过静电力的理论计算和键合试验,分析了铝台阶对硅/玻璃静电键合的影响,得出铝台阶厚度低于100nm时键合效果较好;对有无铝台阶时的静电键合电流特性进行比较,分析了硅/玻璃界面电荷分布及其运动情况,为RF-MEMS开关的设计与制作提供了有意义的参考。
2) RF MEMS Switches
RF MEMS开关
1.
RF MEMS Switches Resonant Frequency Offset by Residual Stresses;
残余应力对RF MEMS开关谐振频率偏移的影响
2.
The reliability and failure mechanisms of RF MEMS switches were one of the most important problems,and it related to the future use of RF MEMS switches,he reliability of RF MEMS switches introduced,the failure modes and mechanisms of series resistive switches and shunt capacitive switches discussed.
本文介绍了RF MEMS开关的可靠性问题,详细探讨了串联电阻式开关和并联电容式开关的失效模式及失效机理,并对今后RF MEMS开关可靠性方面的工作进行了展望。
3.
This paper based on the technology of RF MEMS and focused on RF MEMS switches and phase shifters.
RF MEMS开关方面,理论分析了电容式MEMS开关和接触式MEMS开关的工作状态、电磁特性,并仿真实现。
3) RF MEMS switch
RF MEMS开关
1.
Fabrication and Study of the RF MEMS Switches;
RF MEMS开关器件的制作及研究
2.
Design and fabrication of DC to 30 GHz DC-contact shunt RF MEMS switch
DC～30GHz并联接触式RF MEMS开关的设计与制造
3.
The antenna introduced in this paper is frequency-reconfigurable and the feed configuration can be changed,with the length of a rectangular slot being changed using an RF MEMS switch.
利用RF MEMS开关控制天线模型中矩形加载槽的长度来实现频率可重构,从天线等效LC振荡回路和谐振回路电流路径的改变等两方面分析了频率可重构原理。
4) RF MEMS CPW switch
RF MEMS CPW开关
5) RF MEMS capacitive shunt switch
RF MEMS电容式开关
6) cantilever RF-MEMS switch
悬臂梁RF-MEMS开关
补充资料：Rf-COOH-Rf-SO3H
分子式：
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条