1) capacitive series RF MEMS switch
串联电容式RF MEMS开关
1.
The design and fabrication of a capacitive series RF MEMS switch is reported.
介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。
2) RF MEMS capacitive shunt switch
RF MEMS电容式开关
3) capacitive RF-MEMS switches
电容式RF-MEMS开关
4) RF MEMS Switches
RF MEMS开关
1.
RF MEMS Switches Resonant Frequency Offset by Residual Stresses;
残余应力对RF MEMS开关谐振频率偏移的影响
2.
The reliability and failure mechanisms of RF MEMS switches were one of the most important problems,and it related to the future use of RF MEMS switches,he reliability of RF MEMS switches introduced,the failure modes and mechanisms of series resistive switches and shunt capacitive switches discussed.
本文介绍了RF MEMS开关的可靠性问题,详细探讨了串联电阻式开关和并联电容式开关的失效模式及失效机理,并对今后RF MEMS开关可靠性方面的工作进行了展望。
3.
This paper based on the technology of RF MEMS and focused on RF MEMS switches and phase shifters.
RF MEMS开关方面,理论分析了电容式MEMS开关和接触式MEMS开关的工作状态、电磁特性,并仿真实现。
5) RF MEMS switch
RF MEMS开关
1.
Fabrication and Study of the RF MEMS Switches;
RF MEMS开关器件的制作及研究
2.
Design and fabrication of DC to 30 GHz DC-contact shunt RF MEMS switch
DC～30GHz并联接触式RF MEMS开关的设计与制造
3.
The antenna introduced in this paper is frequency-reconfigurable and the feed configuration can be changed,with the length of a rectangular slot being changed using an RF MEMS switch.
利用RF MEMS开关控制天线模型中矩形加载槽的长度来实现频率可重构,从天线等效LC振荡回路和谐振回路电流路径的改变等两方面分析了频率可重构原理。
6) RF-MEMS switches
RF-MEMS开关
1.
Bulk micromachining processes and surface sacrificial processes were connected by Si/glass bonding for making RF-MEMS switches.
介绍了一种新的RF-MEMS开关制作工艺,利用静电键合技术将表面微加工工艺与体硅加工工艺结合在一起完成开关上下电极的组合;说明了如何在普通环境下进行图形对准;通过静电力的理论计算和键合试验,分析了铝台阶对硅/玻璃静电键合的影响,得出铝台阶厚度低于100nm时键合效果较好;对有无铝台阶时的静电键合电流特性进行比较,分析了硅/玻璃界面电荷分布及其运动情况,为RF-MEMS开关的设计与制作提供了有意义的参考。
补充资料：串联电容补偿装置工程实例
串联电容补偿装置工程实例
examples of series capacitor/compensator projects
ehuanllond一onrong buehong zhuongzh一gongeheng sh一l-申联电容补偿装t工程实例(examplesofseries eaPaeitor/eomPensator Projeets)介绍500 kV麦克利斯(MeLeese)申补站和魁北克省735kV串联电容补偿装t系统. 500 kv安克利斯(McLee肚).补站介绍该站的系统概况、主要技术数据及其特点。(参见彩图擂页第36页115图) 系统概况McLeese串补站位于加拿大不列翔哥伦比亚省温哥华市以北约350 km处.它是斯拉姆(G.M.Shrum)与和平峡(Peaee Canyon)至退哥华地区长达gookm输电工程的一部分.该工程主要由3回500 kV翰电线路及9个申联电容补偿装里组成，总翰送能力为3300 MW.这些串补站显著提高了系统的暂态稳定性和粉送能力，改善了系统的电压控制和无功调节.McLesse申补站位于其中部，其有3个今联电容补偿装1分别申联在3回翰电线路中，称之为MeLee，犯1 .MeLeesel与MeLeesel。 主要技术数据见表1。 衰1 500kvMcl潇翻此申补站主要技术傲.┌───────┬────┬─────┬─────┐│串联电容补偿 │MeLeesel│MeLeesel │MeLeese口 ││ 装1名称 │ │ │ │├───────┼────┼─────┼─────┤│投产时间 │1969年 │1969年 │1995年 │├───────┼────┼─────┼─────┤│倾定容t(Mvar) │616 │6 16 │605 │├───────┼────┼─────┼─────┤│倾定容抗(n) │54。0 │54.0 │53.0 │├───────┼────┼─────┼─────┤│撅定电流(kA) │1 .95 │1 .95 │1 .95 │├───────┼────┼─────┼─────┤│过电压保护方式│旁路间陈│旁路问除 │MOV(无旁 ││ │+2个旁路│十2个旁路 │路间陈)+1 ││ │开关 │开关 │个旁路开关│├───────┼────┼─────┼─────┤│MOV橄定容t │无 │无 │285 ││ (MJ) │ │ │ │├───────┼────┼─────┼─────┤│单台电容界倾定│1 11 │1 11 │940 ││ 容t(kvar) │ │ │ │└───────┴────┴─────┴─────┘ 特点①运行情况:McLeesel和I虽建于1969年，但现在仍能正常运行，只是由于当时电容器和旁路开关的制造水平较低，现在要每年维护一次.时间约一个月。
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参考词条