1) homoepitaxial
同质外延
1.
High quality 4H-SiC homoepitaxial layers were grown on 8° off-axis 〈0001〉 HP-S.
在高纯半绝缘4H-SiC偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层,利用X射线双晶衍射、原子力显微镜(AFM)、汞探针C-V以及霍尔效应等测试方法,对样品的结晶质量、表面粗糙度、掺杂浓度以及电子迁移率进行了分析测试,证实外延层的结晶质量相对于衬底有着很大的改善。
2) homoepitaxy
[,həumi'epitæksi]
同质外延
1.
Defects in 4H-SiC Homoepitaxy CVD Growth;
4H-SiC同质外延中的缺陷
5) synchro-epitaxy
同步外延
6) heteroepitaxial
异质外延
1.
Study on the evolution of Au heteroepitaxial islands on Cu(001) by molecular dynamics simulation;
Au/Cu(001)异质外延岛演化的分子动力学研究
2.
The heteroepitaxial diamond films were grown on the p\|type Si (100) substrate by microwave plasma chemical vapor deposition (CVD).
在p型硅 (10 0 )衬底上 ,采用衬底负偏压微波等离子体CVD方法进行了p型异质外延金刚石膜的生长 。
3.
In this thesis, the heteroepitaxial growths for Au/Cu(001), Au/Cu(111), Ag/Cu(001), Ag/Cu(111), Cu/Au(001) and Cu/Au(111) were simulated by molecular dynamic method(MD) with embedded atom method(EAM).
异质外延生长是薄膜生长中的重要研究课题,从原子水平上认识异质薄膜生长的物理本质,对于改进制备工艺和提高薄膜质量都有着重要的指导作用。
补充资料：异质外延
异质外延
heteroePitaxy
用到超晶格量子阱激光器等器件上。 半导体异质结外延包括以元素Si和化合物半导体GaAs或InP为衬底的多元化合物外延。Si上生长511_xGex超晶格已作为改善现有器件和发展新器件的材料。已发展绝缘体上外延硅(S OD为衬底的Si/Si，一xGe二异质外延。GaAs/Si异质外延为降低GaAs集成电路的成本开辟了途径。由于晶格很匹配，AIGaAs/GaAs异质外延研究得最多，并已应用于高速电子器件和量子阱激光器。近来提出用GaP/AIGaAs代替GaAs。该体系的常数更加接近，折射率差别更适合于全光学波导，而且GaP对部分可见光和红外区为全透明。随着氟化物光纤的应用，含Sb的多元化合物可能会在超长波长光通信上得到应用。G欲nP/AIGalnP是可见光激光器的理想材料。HgCdTe/CdTe等H一VI族异质材料是发展红外探测器的关键材料。MBE和MOCVD异质外延研制新型结构和微结构材料，如超晶格量子阱和量子线材料，为提高器件性能和发展新器件开辟了新途径。(莫金现)异质外延hetero印itaxy在一种半导体单晶衬底上，沿着原来的结晶轴或按照特定的结晶学关系，外延一层与衬底材料的性质不同的单晶薄膜的技术。 半导体异质外延的范围很广。1968年美国洛克威尔实验室用金属有机化合物和氢化物，首次在蓝宝石、尖晶石等衬底材料上外延Hl一V、H一VI和砰一VI族半导体薄膜取得成功。由于衬底和外延层晶体特性的差异，大部分异质外延存在晶格失配和界面热应力等恶化外延层特性的问题。70年代异质外延取得了很大进展。随着液相外延(LPE)、气相外延(VPE)、分子束外延(MBE)和金属有机化合物气相外延(MOCVD)等技术的相继出现且日趋完善，不仅已能生长很完整的异质界面，材料的组分、掺杂浓度和各层厚度在原子级范围内得到了精确控制。多种异质结已做成超晶格结构，并应
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