说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 偏置电容
1)  partially installing capacitor
偏置电容
1.
Application experiences of capacitive current measuring with partially installing capacitor;
偏置电容法电容电流测量的应用经验
2.
According to above analysis, a new more safe and more portable method which adapts to field test is putted forwards, that method is partially installing capacitor.
根据几个变电站电容电流的测试情况和在华北电力大学试验室的模拟试验情况,对3种间接测试方法和1种直接接地方法进行比较,提出了一种适合于现场测试、既安全又简便的测试方法——偏置电容法,并介绍了其测量原理和注意事项。
2)  Biased capacitor method
偏置电容法
3)  the deviation of electric capacity
电容偏差
4)  capacitor plate
电容偏板
5)  bias voltage
偏置电压
1.
Experimental Study on Influence of Interference and Bias Voltage on Detective Signal of Spark Plug;
干扰及偏置电压对火花塞检测信号影响的试验研究
2.
The influences of the bias voltage and hydrostatic pressure on FE/AFE and AFE/PE phase transition and transition temperature of these PLZST ceramics obtained by measuring the relation between the relative dielectric constants and loss and various parameters of samples.
通过测定样品的相对介电常数及损耗与各种参量的关系,得到了等静压力及偏置电压对反铁电体铁电/反铁电相变及反铁电/顺电(PE)相变温度影响的规律。
3.
The bias voltage Vp was discussed.
直流偏置电压V_p可消除系统倍频振动,为后续检测电路设计提供便利。
6)  biased voltage
偏置电压
1.
The uniformity and conformity of the oxidation lines of Si obtained by AFM (atom force microscope) tip induced oxidation ofdifferent biased voltages and scanning speeds are studied.
研究了在不同的偏置电压和扫描速度下加工的Si氧化线的一致性和均匀性,得到了加工高质量的Si氧化线的实验条件为:偏置电压8V,扫描速度1 μm/s。
2.
Ti oxidation lines with 5 μm length were fabricated at temperature of 20 ℃,relative humidity of 30 %,oxygen concentration of 20 %,and different biased voltages and scanning speeds.
偏置电压和扫描速度是AFM阳极氧化加工Ti纳米氧化线的决定因素。
补充资料:电容和电容器
      电容是描述导体或导体系容纳电荷的性能的物理量。
  
  孤立导体的电容  把电荷Q充到孤立导体上,它的电位U与Q成正比,Q/U与Q无关,仅取决于孤立导体的形状和大小,它反映了孤立导体容纳电荷的能力,因而定义为孤立导体的电容,用C表示,C=Q/U。孤立导体的电容等于导体升高单位电位所需的电量。电容的国际制单位为法拉,简称法,用F表示,是一个非常大的单位。如将地球看作孤立导体,其电容只有709×-6法,所以通常采用μF(=-6F)或pF(=10-12F)为单位。
  
  如果把另一个带负电的导体移近孤立导体,后者的电位就下降,可见非孤立导体的电位不仅与它自己所带电量的多少有关,还取决于周围其他导体的相对位置。
  
  电容器  如果带电导体A被一封闭导体空腔B所包围,则因空腔的屏蔽作用,AB之间的电位差不受腔外带电体的影响,A所带的电量同A及B的电位差成比例。
  实际上,腔体封密的限制并不太高,即使A、B二导体为间距不大的一对导体板(同轴圆柱或平行平面板),如果QA为导体A上与导体B相对的侧面上的电量,则上述比例关系仍保持不变。这对互相绝缘的导体构成电容器,这对导体则称为电容器的一对极板。
  
  把电压U接到电容器的一对极板上,它们得到大小相等、符号相反的电荷±Q,电位差UA-UB=U,则定义电容器的电容为C=Q/U。电容是电容器的特性常数,取决于两导体的形状、大小、相对位置;当导体间充有绝缘材料时,电容器的电容还与绝缘材料的相对电容率εr有关。如果εr与电场强度有关,则电容C将随所加电压U而变化,这种电容器叫做非线性电容器。
  
  电容的倒数1/C=U/Q=S叫做倒电容。
  
  简单电容器的电容公式  如表。
  
  电容器的并联和串联  n个电容器并联如图a,它们的电压都等于u,充有的电荷分别为q1、q2、...、qn。此并联组合得到的总电荷 q=,则 C=,即并联电容器组的总电容等于各电容的总和。
  
  n个电容器串联如图b,它们充有相等的电荷q, 电压则分别为u1、u2、...、un。此串联组合的总电压u=,则S =,即串联电容器的总倒电容等于各倒电容的总和。
  
  电容器的性能参数和用途  电容是电容器的主要性能参数之一。此外,实际电容器的性能参数还有耐压(或工作电压)、损耗和频率响应,它们分别取决于所充电介质的击穿场强、媒质损耗和对频率的响应。
  
  实际电容器的种类繁多,用途各异。大型的电力电容器主要用于提高用电设备的功率因数,以减少输电损失和充分发挥电力设备的效率。电子学中广泛采用电容器,以提供交流旁路稳定电压,用作级间交流耦合,以及用作滤波器、移相器、振荡器等等。
  

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条