2) rapid thermal process
快速热处理
1.
Sol-Gel method and rapid thermal process (RTP) were used to fabricate and crystallize Y_ 2.
为使YIG磁性薄膜应用到Si集成电路中,利用Sol-Gel技术晶化温度低的特点,结合快速热处理(RTP)工艺在Si基上制备了Y2。
2.
The effects of rapid thermal process (RTP) on the DZ and oxygen precipitation of large diameter Czochralski silicon are investigated.
主要研究了快速热处理 ( RTP)对大直径直拉 ( CZ)硅片的清洁区 ( DZ)和氧沉淀的影响 。
3.
Rapid thermal process (RTP) was performed to heavily doped silicon wafers in Ar and N2 ambient.
在氮气和氩气气氛下,对重掺杂硅片进行快速热处理,研究了快速热处理温度、降温速度和保温时间对重掺杂硅片中氧沉淀的影响。
3) rapid thermal annealing
快速热处理
1.
Effect of rapid thermal annealing on electron emission and DX centers in strained InGaAs/GaAs single quantum well laser diodes;
快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响
2.
In isfound that rapid thermal annealing can improve the 77K photoluminescence efficiency and electronemission from the active layer, due to the removal of nonradiative centers from the InGaAs/GaAs interface.
8)As/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应。
3.
BaSrTiO3(BST) thin films were deposited by radio frequency magnetron sputtering,and then treated by rapid thermal annealing process.
采用射频溅射法在Si基片上制备BaSrTiO3(BST)薄膜,利用X射线衍射和原子力显微镜(AFM)研究了快速热处理温度和时间对BaSrTiO3薄膜微结构的影响。
4) fast preprocess
快速预处理
1.
Hereafter a fast preprocessing approach considering the profile as a whole was given based on three criteria above and system constraints.
依据该基准与给定系统约束,提出了一种轨迹全过程的快速预处理方法,实现了点对点运动时间优化;结合轨迹轮廓图形的对称性与面积求积分法,给出了一种简单的公式推导方法。
5) RTP
快速热处理
1.
Redistribution of Ge Incorporated into Silicon Through Cryogenic Implantation After RTP;
低温注入硅片中的锗在快速热处理后的再分布
2.
The work is intended to examine the effect of rapid thermal processing (RTP) in different atmospheres (N 2,O 2,Ar) on the generation and annihilation of thermal donors (TDs) in silicon.
研究了不同气氛 (N2 、O2 、Ar)下高温快速热处理 (RTP)对热施主形成和消除特性的影响 。
3.
Nonocrystalline Si (nc Si) thin films were prepared by crystallization of the hydrogenaed amorphous Si (a Si) films using the three step Rapid Thermat Processing (RTP), i.
使用除氢、高温成核和低温生长的三段式快速热处理方法，将常规方法制备的氢化非晶硅（ａ－ＳｉＨ）薄膜晶化成纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ）薄膜。
6) RTA
[英][,ɑ: ti: 'eɪ] [美]['ɑr 'ti 'e]
快速热处理
1.
The XRD shows that conventional thermal annealing(CTA) is better than rapid thermal annealing(RTA) for the PZT thin films with(110) preferred orientation.
原子力显微镜(AFM)显示:快速热处理方式使PZT薄膜的晶粒具有自形晶结构,晶粒的排布更为有序,从而改善了薄膜的致密性。
2.
After rapid thermal annealing(RTA) in Ar atmosphera at high temperature,the flow pattern defects(FPDs) density decreased more sharply in Sb-doped wafers than that in lightly B-doped wafers.
研究了掺杂剂原子种类及快速热处理技术对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷密度的影响。
3.
In this paper, the micro-structure and annealing behavior of void defect in large-diameter CZSi crystal have been systematically investigated by using AFM and RTA.
本文利用原子力显微镜及快速热处理技术,针对大直径直拉硅单晶中的空洞型微缺陷进行了系统的研究,分析了空洞型缺陷FPDs的微观形貌,及在热处理过程中的行为。
补充资料：快速渗滤处理系统
分子式：
CAS号：
性质：RI将废水有控制地投配到具有良好渗滤性能的土壤表面，废水在向下渗透过程中由于生物氧化、硝化、反硝化、过滤、沉淀等一系列作用而得到净化的一种废水土地处理系统。该系统以淹水/干燥方式交替运行，处理效率很高，净化后的水可回收再用。日处理104m3废水的系统需土地105m2(10ha)。
CAS号：
性质：RI将废水有控制地投配到具有良好渗滤性能的土壤表面，废水在向下渗透过程中由于生物氧化、硝化、反硝化、过滤、沉淀等一系列作用而得到净化的一种废水土地处理系统。该系统以淹水/干燥方式交替运行，处理效率很高，净化后的水可回收再用。日处理104m3废水的系统需土地105m2(10ha)。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条