1) rapid crystallization process
快速晶化处理
3) rapid thermal process
快速热处理
1.
Sol-Gel method and rapid thermal process (RTP) were used to fabricate and crystallize Y_ 2.
为使YIG磁性薄膜应用到Si集成电路中,利用Sol-Gel技术晶化温度低的特点,结合快速热处理(RTP)工艺在Si基上制备了Y2。
2.
The effects of rapid thermal process (RTP) on the DZ and oxygen precipitation of large diameter Czochralski silicon are investigated.
主要研究了快速热处理 ( RTP)对大直径直拉 ( CZ)硅片的清洁区 ( DZ)和氧沉淀的影响 。
3.
Rapid thermal process (RTP) was performed to heavily doped silicon wafers in Ar and N2 ambient.
在氮气和氩气气氛下,对重掺杂硅片进行快速热处理,研究了快速热处理温度、降温速度和保温时间对重掺杂硅片中氧沉淀的影响。
4) rapid thermal annealing
快速热处理
1.
Effect of rapid thermal annealing on electron emission and DX centers in strained InGaAs/GaAs single quantum well laser diodes;
快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响
2.
In isfound that rapid thermal annealing can improve the 77K photoluminescence efficiency and electronemission from the active layer, due to the removal of nonradiative centers from the InGaAs/GaAs interface.
8)As/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应。
3.
BaSrTiO3(BST) thin films were deposited by radio frequency magnetron sputtering,and then treated by rapid thermal annealing process.
采用射频溅射法在Si基片上制备BaSrTiO3(BST)薄膜,利用X射线衍射和原子力显微镜(AFM)研究了快速热处理温度和时间对BaSrTiO3薄膜微结构的影响。
5) fast preprocess
快速预处理
1.
Hereafter a fast preprocessing approach considering the profile as a whole was given based on three criteria above and system constraints.
依据该基准与给定系统约束,提出了一种轨迹全过程的快速预处理方法,实现了点对点运动时间优化;结合轨迹轮廓图形的对称性与面积求积分法,给出了一种简单的公式推导方法。
6) RTP
快速热处理
1.
Redistribution of Ge Incorporated into Silicon Through Cryogenic Implantation After RTP;
低温注入硅片中的锗在快速热处理后的再分布
2.
The work is intended to examine the effect of rapid thermal processing (RTP) in different atmospheres (N 2,O 2,Ar) on the generation and annihilation of thermal donors (TDs) in silicon.
研究了不同气氛 (N2 、O2 、Ar)下高温快速热处理 (RTP)对热施主形成和消除特性的影响 。
3.
Nonocrystalline Si (nc Si) thin films were prepared by crystallization of the hydrogenaed amorphous Si (a Si) films using the three step Rapid Thermat Processing (RTP), i.
使用除氢、高温成核和低温生长的三段式快速热处理方法，将常规方法制备的氢化非晶硅（ａ－ＳｉＨ）薄膜晶化成纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ）薄膜。
补充资料：快速晶闸管
可以在 400Hz以上频率工作的晶闸管。视电流容量大小，其开通时间为4～8微秒，关断时间为10～60微秒。主要用于较高频率的整流、斩波、逆变和变频电路。
快速晶闸管是一个PNPN四层三端器件，其符号与普通晶闸管（见逆阻晶闸管）一样，它不仅要有良好的静态特性，尤其要有良好的动态特性。快速晶闸管的动态参数要求为开通速度和导通扩展速度快，反向恢复电荷少,关断时间短，通态电流临界上升率(dI/dt)及断态电压临界上升率 (dV/dt)高。通态电流临界上升率是在规定条件下，器件从断态转入通态时，对晶闸管不产生有害影响的最大通态电流?仙剩欢咸缪沽俳缟仙适窃诠娑ㄌ跫拢骷佣咸恢伦蛲ㄌ淖畲蠖咸缪股仙省？焖倬д⒐茉诙疃ㄆ德誓谄涠疃ǖ缌鞑凰嫫德实脑黾佣陆祷蛳陆岛苌佟６胀ňд⒐茉? 400Hz以上时，因开关损耗随频率的提高而增大，并且在总损耗中所占比重也增加，所以，其额定电流随频率增加而急速下降。
快速晶闸管的结构和工作原理与普通晶闸管相同，但在设计与制造中采取了特殊措施以减少开关耗散功率。通常采用增加门极－阴极周界长度、减薄基区厚度的办法,增加初始导通面积，提高dI/dt耐量和提高扩展速度；采用阴极短路点、非对称结构、掺金、铂或用电子、快中子辐照技术等办法降低少子寿命，提高dV/dt耐量,降低关断时间。80年代，快速晶闸管已做到通态平均电流1000A，耐压2500V，关断时间30微秒。
一种对工作频率有明确标定的快速晶闸管则称为高频晶闸管（中国型号为KG）。例如KG50（20kHz）,表示该高频管的标称工作频率为20kHz，通态平均电流为50A（20kHz下正弦半波平均电流值）。80年代中期,中国已能生产KG100(20kHz)和KG200(10kHz)，耐压为1～1.2kV的高频晶闸管。
快速晶闸管采取的特殊措施，在一定程度上降低了静态特性（如升高了通态压降），故限制了它直接工作于更高频率的大功率电子设备。为满足更高频率下工作对晶闸管提出的特殊要求，开发了门极辅助关断晶闸管、可关断晶闸管等。
快速晶闸管是一个PNPN四层三端器件，其符号与普通晶闸管（见逆阻晶闸管）一样，它不仅要有良好的静态特性，尤其要有良好的动态特性。快速晶闸管的动态参数要求为开通速度和导通扩展速度快，反向恢复电荷少,关断时间短，通态电流临界上升率(dI/dt)及断态电压临界上升率 (dV/dt)高。通态电流临界上升率是在规定条件下，器件从断态转入通态时，对晶闸管不产生有害影响的最大通态电流?仙剩欢咸缪沽俳缟仙适窃诠娑ㄌ跫拢骷佣咸恢伦蛲ㄌ淖畲蠖咸缪股仙省？焖倬д⒐茉诙疃ㄆ德誓谄涠疃ǖ缌鞑凰嫫德实脑黾佣陆祷蛳陆岛苌佟６胀ňд⒐茉? 400Hz以上时，因开关损耗随频率的提高而增大，并且在总损耗中所占比重也增加，所以，其额定电流随频率增加而急速下降。
快速晶闸管的结构和工作原理与普通晶闸管相同，但在设计与制造中采取了特殊措施以减少开关耗散功率。通常采用增加门极－阴极周界长度、减薄基区厚度的办法,增加初始导通面积，提高dI/dt耐量和提高扩展速度；采用阴极短路点、非对称结构、掺金、铂或用电子、快中子辐照技术等办法降低少子寿命，提高dV/dt耐量,降低关断时间。80年代，快速晶闸管已做到通态平均电流1000A，耐压2500V，关断时间30微秒。
一种对工作频率有明确标定的快速晶闸管则称为高频晶闸管（中国型号为KG）。例如KG50（20kHz）,表示该高频管的标称工作频率为20kHz，通态平均电流为50A（20kHz下正弦半波平均电流值）。80年代中期,中国已能生产KG100(20kHz)和KG200(10kHz)，耐压为1～1.2kV的高频晶闸管。
快速晶闸管采取的特殊措施，在一定程度上降低了静态特性（如升高了通态压降），故限制了它直接工作于更高频率的大功率电子设备。为满足更高频率下工作对晶闸管提出的特殊要求，开发了门极辅助关断晶闸管、可关断晶闸管等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条