1) pseudo-crystallization
赝晶化
2) pseduocrystal
赝晶体
3) GaAs PHEMT-technology
砷化镓赝晶高电子迁移率器件工艺
4) GaAs power PHEMT
砷化镓功率赝配高电子迁移率晶体管
5) GaAs PHEMT
砷化镓赝晶高电子迁移率器件
6) GaAs pseudomorphic high electron mobility transistors(pHEMT)
砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管
补充资料：多晶莫来石晶须(纤维)
分子式：
CAS号：
性质：莫来石相为主晶相的多晶纤维。化学成分为Al2O3 72％～77％，SiO222％～17％，B2O3 3％～5％，P2O51.5％～3.0％。纤维直径2～7μm，纤维长度20～125μm。使用温度1350℃。多采用溶胶-凝胶法制造。主要用作补强填料，也可作为轻质、隔热保温材料使用。
CAS号：
性质：莫来石相为主晶相的多晶纤维。化学成分为Al2O3 72％～77％，SiO222％～17％，B2O3 3％～5％，P2O51.5％～3.0％。纤维直径2～7μm，纤维长度20～125μm。使用温度1350℃。多采用溶胶-凝胶法制造。主要用作补强填料，也可作为轻质、隔热保温材料使用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条