1) class-E power amplifier
E类功率放大器
1.
The controller combines parallel amplification and drain modulation of the CMOS class-E power amplifier to provide high efficiency over a broad range of output powers.
结合射频E类功率放大器的结构特点,采用CMOS工艺,达到了在大的输出功率范围内保持持续稳定高效率的目的。
2.
Theoretically,Class-E power amplifier with 100% drain efficiency operates in a switched mode and has wide application potentials.
E类功率放大器是一种开关模式的功率放大器,理论上可以达到100%的漏极效率,具有广泛的应用前景。
3.
A design methodology,which could be used for a transmission-line implementation of a class-E power amplifier,is presented.
E类功率放大器作为开关模式放大器一种,其理想效率为100%。
2) class E power amplifier
E类功率放大器
1.
In order to improve both charge current and transfer efficiency via a lower coupling coefficient inductive link, class E power amplifier based on primary leakage inductance and compensat.
在低耦合系数条件下 ,通过基于初级漏感的E类功率放大器和次级漏感的补偿方法 ,提高电容充电电流和传输效率。
2.
18 μm CMOS technology,a novel power control circuit with low cost and high integration for Class E power amplifier was designed using indirect closed-loop.
18μm CMOS工艺,采用间接闭环控制方式,设计出一个适用于Class 1蓝牙E类功率放大器的低成本、高集成度输出功率控制电路。
3) class E tuned power amplifier
E类调谐功率放大器
1.
Power synthesis of class E tuned power amplifier;
E类调谐功率放大器的功率合成
4) class-D power amplifier
D类功率放大器
1.
The feature, operating principle, development and application of class-D power amplifier are introduced.
介绍D类功率放大器的特点、工作原理、发展及应用。
5) Class D Power Amplifier
D类功率放大器
1.
The Analysis of Class D Power Amplifier s Efficiency Parameter;
D类功率放大器效率参数分析
2.
In this dissertation, first study on the basic principle of class D power amplifier and BiCMOS process.
文章首先详细研究了D类音频放大器和相关的BiCMOS的基本原理和结构,并在此基础上综合现阶段国内市场对D类功率放大器的需求,开发了基于0。
6) class AB power amplifier
AB类功率放大器
1.
The essay compares the output rate of class AB power amplifier with calss D s,and affirms the advantages of class D in high efficiency,and sums up its principle of work,and also carries on the design and analysis of class D power parameter.
分析比较了AB类功率放大器与D类功率放大器的输出率,肯定了D类功率放大器效率高的优点,总结了D类功率放大器的工作原理,并对D类功率参数进行了设计分
2.
These parameters extracted are used for a design of 1900MHz two-stage class AB power amplifier with very low quiescent power consumption.
采用模拟退火算法提取出异质结双极晶体管器件的大信号 Gum mel- Poon模型参数 ,利用所提取出的模型参数设计出具有很低静态功耗的 190 0 MHz两级 AB类功率放大器 。
3.
Design and Implementation of a High Linearity CMOS Class AB Power Amplifier;
文章主要分析了AB类功率放大器中的主要非线性源—栅源电容对电路性能的影响,并且使用了一个PMOS管并联的技术来补偿这种影响,最后利用这种技术,采用JAZZ0。
补充资料：功率放大器
| 功率放大器 power amplifier 以增强信号直流、连续波或脉冲波功率为主要目的的放大电路。常作为多级放大器的末级，向负载提供所需功率。这种负载可以是扬声器、电动机、电热器、发送天线等。功率放大器的重要指标是功率增益、失真度和效率。效率是指放大器的有用输出信号功率与所消耗的直流电源功率之比。它直接反映器件热损耗的大小，因而是表征放大器最大输出功率和尺寸的限制因素。现代功率放大器所用的有源器件主要是晶体管（双极型晶体管或场效应晶体管），少数场合下(如高频或微波大功率发射机的末级)也用真空管。前者的最大输出功率在较低频段已能达到数十千瓦，后者可达兆瓦级。常用的功率放大器多属中、小功率范围，使用晶体管作有源器件时效率较高、成本低、可靠性好。集成功率放大电路的最大输出功率已达数百瓦。 |
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参考词条