1) semiconductor radiation detectors
半导体辐射探测器
1.
This paper describes the method of simulation charge-sensitive preamplifier with orCAD software,the design of charge-signal sources of semiconductor radiation detectors expressed by a simulation design example.
叙述了使用orCAD软件仿真电荷灵敏前置放大器的方法,半导体辐射探测器的电荷仿真信号源的设计,讲述了一个仿真设计实例。
2) Semiconductor nuclear radiation detector
半导体核辐射探测器
3) bulk-conductivity radiation detector
体积电导率辐射探测器
5) semiconductor detector
半导体探测器
1.
Development and application of room-temperature semiconductor detectors;
室温半导体探测器的发展和应用
2.
The measurement accuracy of electron beam by using semiconductor detector is easily affected by beam energy,dose rate,beam incidence direction,environment temperature etc.
电子束半导体探测器的测量精度易受到射线的能量、剂量率、入射方向和环境温度等条件的影响。
3.
Components of the instrument such as power supply, semiconductor detector, micro-controller and so on are introduced and their principles are explained in detail.
通过分析氡的α衰变子体和说明区分这些子体的方法来阐明测量原理,详细介绍了组成该仪器的各个部件及其原理,如电源、半导体探测器、微控制器等。
6) Si-PI N semiconductor Detectors
SiPIN半导体探测器
补充资料：穿越辐射探测器
利用穿越辐射效应制成的高能粒子探测器。穿越辐射探测器是由产生穿越辐射的辐射体、记录穿越辐射的计数器和其他电子学仪器共同组成。辐射体的厚度必须远大于形成区的大小。通常，使用原子序数小的材料作为辐射体，如锂箔、镀铝的聚酯薄膜与铍片等。穿越辐射光子产额较少，因此，需要使用多个薄片作为辐射体，这些薄片彼此靠近安放，形成多个界面。记录穿越辐射的计数器可以使用闪烁计数器、半导体计数器和多丝正比室等。穿越辐射探测器有两个缺点：①穿越辐射在辐射体中的自吸收；②入射带电粒子在X 射线探测器中穿过，会直接产生电离本底。也有人利用超导现象记录穿越辐射，在超导型穿越辐射探测器中，辐射体与辐射探测器合并为一体，因此，它能克服自吸收的困难，提高探测穿越辐射的灵敏度。
穿越辐射探测器能测定单个高能带电粒子的洛伦兹因子γ(103)。因此,它同磁谱仪配合，能够分辨不同种类的高能粒子；对于已知质量的高能粒子，它能定出粒子的能量，并已正式使用它来分辨电子与强子。
穿越辐射探测器是一种正在发展中的新型探测器。无论是穿越辐射探测器本身，还是它在高能物理实验中的应用，仍需要进行更多的研究。
穿越辐射探测器能测定单个高能带电粒子的洛伦兹因子γ(103)。因此,它同磁谱仪配合，能够分辨不同种类的高能粒子；对于已知质量的高能粒子，它能定出粒子的能量，并已正式使用它来分辨电子与强子。
穿越辐射探测器是一种正在发展中的新型探测器。无论是穿越辐射探测器本身，还是它在高能物理实验中的应用，仍需要进行更多的研究。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条