1) MQDT
多通道量子数亏损理论
1.
In this paper we have analyzed the MQDT model of CdI even-parity J=1 by means of MQDT,and obtained a special calculation method of the life-time of high excited state by wave function of MQDT.
在多通道量子数亏损理论(MQDT)的基础上,对镉原子J=1偶宇称的MQDT模型进行了分析,并利用MQDT波函数给出了计算高激发态寿命的一般方法,计算并预言了5sns12125snd21321(6≤n≤23)这两个Rydberg系列的寿命,拟合出了它们的寿命计算公式:5sns21211系列为τ=0。
2.
In this paper we have analyzed the MQDT model of PbⅠ odd-parity J=2 by means of MQDT, obtaining a special calculation method of the life-time of high excited state by wave function of MQDT.
在多通道量子数亏损理论 (MQDT)的基础上 ,对铅原子J =2奇宇称的MQDT模型进行了分析 ,并利用MQDT波函数给出了计算高激发态寿命的一般方法 ,计算并预言了 6 pnd 123202和 6 pnd 125202这两个Rydberg系列的寿
3.
The lifetimes of two Rydberg series of neutral lead are calculated and predicted by means of MQDT,and the predicted 6p6d 3232 0 1 is 59675\^61 cm -1
在多通道量子数亏损理论 (MQDT)的基础上 ,利用已给出的用MQDT波函数统一计算高激发态寿命的方法 ,计算并预言了J =1奇宇称两个Rydberg系列的寿命 ,在利用MQDT计算时 ,确定了 6p6d 323201的能级位置 。
2) multichannel quantum defect theory
多通道量子亏损理论
1.
The experimental data are compared with the results of an R matrix calculation combined with multichannel quantum defect theory (MQDT).
并利用最新的 R矩阵的计算结果 ,结合多通道量子亏损理论进行了理论分析。
2.
The energy level,width and transition line-shape of the 6p1/2ns and 6p3/2ns autoionizing states have been measured,whose spectroscopic properties have been analyzed using multichannel quantum defect theory.
不但测量了6p1/2ns和6p3/2ns自电离态(n≤10)的能级位置、宽度和共振线形,而且也运用多通道量子亏损理论对这些自电离态的光谱特性进行了分析,从而满意地解释了实验结果。
4) relativistic multichannel theory
相对论性多通道量子亏损理论
5) eigenchannel quantum defect theory
本征通道量子亏损理论
1.
This paper caculated the highly excited states with J=2 and odd parity of the beryllium isoelectronic sequence by using the eigenchannel quantum defect theory (EQDT).
应用本征通道量子亏损理论（ＥＱＤＴ），研究ＢｅⅠ等电子序列（奇宇称，Ｊ＝２）的高激发态结构，得到了表征高激发态结构的ＥＱＤＴ参量（Ｕｉα，μα），以这些参量作为输入，获得了２ｓｎｐ、２ｐｎｓ、２ｓｎｆ、２ｐｎｄ组态的Ｒｙｄｂｅｒｇ能级位置及通道混合系数。
2.
We calculated the highly-excited states with J = 0, 1 and 2 and even parity of the beryllium isoelectronic sequence by using the eigenchannel quantum defect theory (EQDT).
本文应用本征通道量子亏损理论(EQDT)系统地研究了J=0,1,2,偶宇称Be等电子序列(BeI—SiⅪ)的高激发态结构。
补充资料：多通道量子数亏损理论
一种可以统一处理原子激发态（即受激态）能级结构的量子理论。已经被推广应用于处理负离子和双原子分子的激发态能级结构。原子激发态能级结构包括分立、自电离共振和连续三类能谱区域。原子的连续能级和自电离共振能级结构同电子与该离化态原子的各种碰撞过程密切相关。当激发态原子可以被视为"一个离子实和一个激发电子"的体系时，多通道量子数亏损理论能够严谨地分析其激发态能级结构和有关的物理过程。激发电子可以是束缚的,也可以是非束缚的,这将视该激发态处于分立能级，自电离共振或连续能态而定。对这个激发电子来说，在位形空间中可分解为两个区域──作用域内和作用域外。在作用域内,激发电子穿入离子,和离子组成一个复合体，此时电子与离子相互作用是个多体问题──必须考虑所有电子之间的相互作用。在作用域外，激发电子和离子间的相互作用可以用库仑势来描述。这就成为量子力学中的双体问题──即单电子问题。离子可能有不同的能态，激发电子也可有不同的角动量和能量。因此，对于具有一定总能量、总角动量和宇称性的"电子－离子"体系，将有各种不同的分解模式。例如,把氩原子的3p电子激发至s或d的激发轨道,形成处于激发态的氩原子，当该激发态的总角动量和宇称性为Jπ为1-时,将存在对于该氩离子(2P┩或2P7/2)与激发电子(S┩、d7/2或d5/2)的五种耦合,即(2P7/2s┩)、(2P┩s┩)、(2P7/2d7/2)、(2P┩d7/2)和 (2P7/2d5/2)。这些分解模式被称为分解通道。在特定分解通道中，作用域外的单电子问题可以用解析方法严谨地求解。因此只要确定了这"电子－离子"体系波函数在作用域面的边界条件，该体系的激发态能级结构就可以简化成为量子力学中的单电子问题；具体地说，利用库仑波函数的数学性质，可以由各种不同的无限远边界条件解析地得出各种不同的能级结构。因此，可以统一地描述分立、自电离共振和连续能态结构，以及有关的碰撞物理问题。
多通道量子数亏损理论表明，可以用短程散射矩阵（不计长程库仑作用引起的相移，因这部分已经解析地处理完毕）代表作用域面的边界条件，该短程散射矩阵的对角化表象就是本征通道。本征通道的物理图像可以理解为: 在第α个本征通道中,由于作用域内的较强的相互作用，使得在作用域外所有分解通道的电子径向波函数成为具有共同相移πμα的库仑驻波,在各个分解通道中的库仑驻波则以特定的权重Uiα线性叠加在一起(下角标表示各分解通道)。因此所有的本征通道能够有效地描述在作用域内复合体的动力学特性，并可用下列物理参数定量地描述：它们是短程散射矩阵的本征值（即本征量子数亏损μα）和其本征矢量 Uiα（所有本征矢量组成正交的转换矩阵）。这组物理参数的值可以从下面两种方法之一得到：①根据精确的能谱实验数据，采用数值逼近法决定；②采用第一原理的理论计算方法决定。实践中认为这两种方法相互结合是最有效的。当体系激发能量变化时，这组物理参数的变化是缓慢平滑的，因此只要得到本征量子数亏损μα和转换矩阵Uiα的数据,就等于定量地掌握了该原子体系的激发能级结构及其有关的物理过程。
多通道量子数亏损理论表明，可以用短程散射矩阵（不计长程库仑作用引起的相移，因这部分已经解析地处理完毕）代表作用域面的边界条件，该短程散射矩阵的对角化表象就是本征通道。本征通道的物理图像可以理解为: 在第α个本征通道中,由于作用域内的较强的相互作用，使得在作用域外所有分解通道的电子径向波函数成为具有共同相移πμα的库仑驻波,在各个分解通道中的库仑驻波则以特定的权重Uiα线性叠加在一起(下角标表示各分解通道)。因此所有的本征通道能够有效地描述在作用域内复合体的动力学特性，并可用下列物理参数定量地描述：它们是短程散射矩阵的本征值（即本征量子数亏损μα）和其本征矢量 Uiα（所有本征矢量组成正交的转换矩阵）。这组物理参数的值可以从下面两种方法之一得到：①根据精确的能谱实验数据，采用数值逼近法决定；②采用第一原理的理论计算方法决定。实践中认为这两种方法相互结合是最有效的。当体系激发能量变化时，这组物理参数的变化是缓慢平滑的，因此只要得到本征量子数亏损μα和转换矩阵Uiα的数据,就等于定量地掌握了该原子体系的激发能级结构及其有关的物理过程。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条