1) electrical resistivity measuring technique
电阻率测量技术
1.
The location of the crack can be found by the change of the apparent resistivity,based on four-probe electrical resistivity measuring technique.
基于四探针电阻率测量技术,依据试验测得的混凝土表观电阻率变化确定裂缝位置。
2) Formation Microscanner Image(FMI)logging
微电阻率扫描测井技术
3) borehole micro resistivity image logging
微电阻率成像测井技术
5) Bioelectrical impedance measurement technique
生物电阻抗测量技术
补充资料:电阻率测量
电阻率测量
resistivity measurement
电阻率测里resistivity measurement对半导体材料电阻率的测量方法。电阻率是表征半导体材料特性的一个重要电学参数。在一定温度下,半导体电阻率的大小与材料补偿后的杂质浓度有关,因此它是器件设备所需的重要参数。通常固体材料使用电阻率来分类。半导体材料的电阻率范围为10--3一1护牙cm,是介于导体(电阻率小于10--3昆·cm)与绝缘体(电阻率大于1护蕊·cm)之间的一种固体材料。 平行于电流的电场强度E与电流密度j的关系为 E=厉(或j=感)式中p为电阻率。a为电导率,它是电阻率的倒数。 对于某些规则形状的样品(如圆柱形或矩形)的电阻R,与样品长度l成正比,与样品截面积S成反比,关系式为l一s P 一一Rp可通过标准的两探针法测量来获得。对于其它形状或薄层样品,测量电阻率的方法有四探针法、三探针法、扩展电阻法、范德堡法、无接触测量法等。 为了保证电流密度与电场强度之间的线性关系,要求测量在弱电场E毛IV/cm和小电流(避免产生焦耳热)下进行。 四探针法半导体材料电阻率测量中经常采用的一种方法。适用于测量形状不同、厚度均匀的半导体材料,如体材料、异型的外延层、离子注入层、扩散层或多层结构的表面浓度的测量。电阻率测量范围为10一3一103兑·em。 将四根金属探针排成一直线,压在一块任意形状的、半无限大的半导体材料的平坦表面上,如果探针接触处的材料是均匀的,并忽略电流在探针处的少子注入,则当电流I由探针1、4间通过时,由点源叠加原理,探针2、3间的电位差V为 肠,1.厂=~石~一一戈—一卜 ‘7T 511 11乓巍十凡sl+凡式中sl、凡、凡为探针间间距,当51=凡=凡一s时 n,V、户=乙7巧气一下少 l如果样品不是半无限大的半导体时,则由探针流入导体的电流为边界表面反射(非导电边界)或吸收(导电边界),结果分别使电压探针处的电位升高或降低。这时,电阻率的测量值高于或低于材料的真实值,需进行边界条件的修正。 当样品的厚度W《s时,则薄层电阻率为=4 .53.粤.w 1曰“一9曰月一n 7r一心n当样品无限薄时,可视为二维平面,得到常用方块电阻R口_,卫~_ WV汀__J。。
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参考词条