补充资料：电阻率测量

电阻率测量
resistivity measurement

电阻率测里resistivity measurement对半导体材料电阻率的测量方法。电阻率是表征半导体材料特性的一个重要电学参数。在一定温度下，半导体电阻率的大小与材料补偿后的杂质浓度有关，因此它是器件设备所需的重要参数。通常固体材料使用电阻率来分类。半导体材料的电阻率范围为10--3一1护牙cm，是介于导体(电阻率小于10--3昆·cm)与绝缘体(电阻率大于1护蕊·cm)之间的一种固体材料。 平行于电流的电场强度E与电流密度j的关系为 E=厉(或j=感)式中p为电阻率。a为电导率，它是电阻率的倒数。 对于某些规则形状的样品(如圆柱形或矩形)的电阻R，与样品长度l成正比，与样品截面积S成反比，关系式为l一s P 一一Rp可通过标准的两探针法测量来获得。对于其它形状或薄层样品，测量电阻率的方法有四探针法、三探针法、扩展电阻法、范德堡法、无接触测量法等。 为了保证电流密度与电场强度之间的线性关系，要求测量在弱电场E毛IV/cm和小电流(避免产生焦耳热)下进行。 四探针法半导体材料电阻率测量中经常采用的一种方法。适用于测量形状不同、厚度均匀的半导体材料，如体材料、异型的外延层、离子注入层、扩散层或多层结构的表面浓度的测量。电阻率测量范围为10一3一103兑·em。 将四根金属探针排成一直线，压在一块任意形状的、半无限大的半导体材料的平坦表面上，如果探针接触处的材料是均匀的，并忽略电流在探针处的少子注入，则当电流I由探针1、4间通过时，由点源叠加原理，探针2、3间的电位差V为 肠，1.厂=~石~一一戈—一卜 ‘7T 511 11乓巍十凡sl+凡式中sl、凡、凡为探针间间距，当51=凡=凡一s时 n，V、户=乙7巧气一下少 l如果样品不是半无限大的半导体时，则由探针流入导体的电流为边界表面反射(非导电边界)或吸收(导电边界)，结果分别使电压探针处的电位升高或降低。这时，电阻率的测量值高于或低于材料的真实值，需进行边界条件的修正。 当样品的厚度W《s时，则薄层电阻率为=4 .53.粤.w 1曰“一9曰月一n 7r一心n当样品无限薄时，可视为二维平面，得到常用方块电阻R口_，卫~_ WV汀__J。。

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