1) APD
雪崩光二极管
1.
The temperature dependences of the light output of CsI(T1) crystal grown at IMP and of the gain of the Hamamatsu S8664-1010 avalanche photodiode (APD) have been investigated systematically.
对中国科学院近代物理研究所自行生长的铊激活碘化铯闪烁晶体CsI(T1)光输出及Hamamtsu公司生产的S8664-1010型雪崩光二极管(APD)增益对温度的依赖关系做了系统研究。
2) avalanche
雪崩
1.
Application of Avalanche Rectifier in Alternating Current Generator for Automobile;
雪崩整流管在汽车交流发电机中的应用
2.
Study on avalanche hot-electron injection of interface trap characteristic for thin film in nanometre range formed by PECVD;
PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱特性的雪崩热电子注入研究
3.
Categories and methods of avalanche hazard evaluation;
雪崩危险度评价的类型、特征和方法
3) avalanche ionization
雪崩离化
1.
The transformation of dielectric optical property under irradiation of ultra-short pulse laser is studied based on avalanche ionization theory.
根据雪崩离化模型,分析了飞秒激光脉冲与介质材料相互作用过程中光学特性的变化规律。
2.
There exists some controversial between the nature of the avalanche ionization(AI) and the role of the multi-photon ionization(MPI).
激光诱导薄膜损伤过程中,雪崩离化(AI)和多光子离化(MPI)的性质和作用到目前仍然存在争议。
4) avalanche mode
雪崩模型
5) RF-BJT
雪崩特性
1.
Based on the avalanche characteristic of RF-BJT,UWB short-duration pulse is designed and simulated with satisfying results of -7.
本文简介了非接触生命探测技术的基本概念,讨论了几种UWB中常用窄脉冲产生方法的特点,进一步分析了雪崩三极管产生脉冲的原理;分析并设计了一种基于RF-BJT雪崩特性的UWB窄脉冲产生电路,同时进行了仿真调试,获得了峰值电压为-7。
6) avalanche prevention
雪崩防治
参考词条
补充资料：雪崩二极管
利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。雪崩二极管振荡原理是W.T.里德于1958年提出的。1965年，R.L.约翰斯顿等人在硅PN结二极管中实现了这种雪崩微波振荡。
雪崩二极管能以多种模式产生振荡，其中主要有碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)模式，简称崩越模式。其基本工作原理是：利用半导体PN结中载流子的碰撞电离和渡越时间效应产生微波频率下的负阻，从而产生振荡。另一种重要的工作模式是俘获等离子体雪崩触发渡越时间(TRAPATT)模式,简称俘越模式。这种模式的工作过程是在电路中产生电压过激以触发器件，使二极管势垒区充满电子-空穴等离子体，造成器件内部电场突然降低,而等离子体在低场下逐渐漂移出势垒区。因此这种模式工作频率较低，但输出功率和效率则大得多。除上述两种主要工作模式以外，雪崩二极管还能以谐波模式、参量模式、静态模式以及热模式工作。
雪崩二极管的结构可分为两大类：单漂移区雪崩二极管和双漂移区雪崩二极管。单漂移区雪崩二极管的结构有PN、 PIN、 P+NN+(或N+PP+)、P+NIN+(或N+PIP+)、MNN+。其中P+NN+结构工艺简单,在适中的电流密度下能获得较大的负阻，且频带较宽，因此在工业中应用较多。双漂移区雪崩二极管是 1970 年以后出现的，其结构为P+PNN+，实质上相当于两个互补单漂移区雪崩二极管的串联，从而有效地利用了电子和空穴漂移空间，因此输出功率和效率均较高。
制造雪崩二极管的材料主要是硅和砷化镓。
雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。它是固体微波源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，广泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。其主要缺点是噪声较大。
雪崩二极管能以多种模式产生振荡，其中主要有碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)模式，简称崩越模式。其基本工作原理是：利用半导体PN结中载流子的碰撞电离和渡越时间效应产生微波频率下的负阻，从而产生振荡。另一种重要的工作模式是俘获等离子体雪崩触发渡越时间(TRAPATT)模式,简称俘越模式。这种模式的工作过程是在电路中产生电压过激以触发器件，使二极管势垒区充满电子-空穴等离子体，造成器件内部电场突然降低,而等离子体在低场下逐渐漂移出势垒区。因此这种模式工作频率较低，但输出功率和效率则大得多。除上述两种主要工作模式以外，雪崩二极管还能以谐波模式、参量模式、静态模式以及热模式工作。
雪崩二极管的结构可分为两大类：单漂移区雪崩二极管和双漂移区雪崩二极管。单漂移区雪崩二极管的结构有PN、 PIN、 P+NN+(或N+PP+)、P+NIN+(或N+PIP+)、MNN+。其中P+NN+结构工艺简单,在适中的电流密度下能获得较大的负阻，且频带较宽，因此在工业中应用较多。双漂移区雪崩二极管是 1970 年以后出现的，其结构为P+PNN+，实质上相当于两个互补单漂移区雪崩二极管的串联，从而有效地利用了电子和空穴漂移空间，因此输出功率和效率均较高。
制造雪崩二极管的材料主要是硅和砷化镓。
雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。它是固体微波源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，广泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。其主要缺点是噪声较大。
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