1)  power LED
功率型LED
1.
The paper introduces the key technology in three periods of power LED industry chain of our country.
本文介绍了我国功率型LED产业链三个阶段的关键技术。
2.
In the aspect of thermal dispersion for power LEDs,flip-chip configuration has potential predominance.
与正装LED相比,倒装焊芯片技术在功率型LED的散热方面具有潜在的优势。
3.
The thermal resister of power LED is analyzed in this paper.
　分析了功率型LED热阻系统的构成,对采用银浆和环氧胶作为芯片键合材料的功率型LED热阻进行了对比研究。
2)  power LED
功率LED
1.
In this paper, the origins and the development of the GaN solid state light source are reviewed and prospected, and some sorts of chips for visible light power LED.
本文对GaN固体光源的起源和发展做了回顾和展望,并给出几种可见光功率LED芯片的结构及其封装特点,最后指出在未来50年内,用GaN固体光源取代白炽灯照明将成为现实。
2.
The measurement method of thermal resistor for power LED based on electrical parameters measurment is analyzed.
分析了功率发光二极管(LED)基于电学测量的热阻的测量方法,介绍了采用高性能数据采集卡构建了新型的功率LED热特性自动测量分析系统,实现对功率LED结温和热阻的精确、简便的测量。
3)  power LED
照明发光二极管
4)  power LED
Power LED
1.
A solar Photovoltaic energy MPPT system controlled by the single chip MSP430F147 was presented,in which buck converter is the core, battery and power LED are the loads.
提出了一种用MSP430F147单片机控制的,以Buck变换器为核心,以蓄电池和Power LED为负载的太阳能光伏MPPT系统。
5)  high power LED
高功率LED
1.
A novel measuring method of thermal resistance for high power LED;
一种高功率LED热阻的测试方法
2.
The drivers of high power LED used series are studed.
着重研究了任意个(1-20个)高功率LED串联联接的恒流源驱动器。
3.
Preliminary experimental tests on a close-looped micro jet cooling system for high power LEDs were conducted.
对一种高功率LED散热用封闭微喷射流系统开展了初步的实验测试,测试结果和简单的数学分析表明实验用微喷系统有较大的改进空间。
6)  high power white LED
大功率白光LED
1.
Use a 3-terminal positive voltage adjustable regulator to make an especially simple adjustable precision current regulator for drvie high power white LEDs.
采用一个三端正电压可调输出稳压器组成一个特别简单的可调电流源,用来驱动大功率白光LED。
参考词条
补充资料：双极型功率晶体管
    　　最普及的一种功率晶体管。通常简称功率晶体管。 其中大容量型又称巨型晶体管，简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件,内含数十至数百个晶体管单元。图1是功率晶体管的符号，其上e、b、c分别代表发射极、基极和集电极。按半导体的类型，器件被分成NPN型和PNP型两种，硅功率晶体管多为前者。
　　
　　结构和工作原理 　图2是普通NPN型器件局部结构的剖面。图中1为发射区，2为基区，3为集电区,4为发射结，5为集电结。图3示其工作原理（对于PNP型器件,则需要将两组电源极性反接）, 其中基极加0.6V左右的正向偏压,集电极加高得多的反向偏压（数十至数百伏）。发射结通过的电流，是由发射区注入到基区的电子形成的，这些电子的小部分在基区与空穴复合成为基极电流Ib，其余大部分均能扩散到集电结而被其电场收集到集电区，形成集电极电流Ic。图4是与图3相对应的器件的共发射极输出特性，它反映了器件的基极控制作用及不同的Ib下,Ic与Vce之间的关系。从图4中看出,特性曲线明显分成3个区。在线性区，Ic与Ib成比例并受其控制，器件具有放大作用（倍数β=Ic/Ib）；在截止区，器件几乎不导电；在饱和区,器件的饱和压降仅在1～2V上下(因饱和区妭CE太小，集电结电子收集效率很低，器件失去放大作用)。
　　
　　
　　进展和应用 　20世纪50～60年代，功率晶体管主要是锗合金管。它制作简单，但耐压不高（几十伏），开关频率也较低（十几千赫）。80年代的大功率高压器件大都为硅平面管,用二次扩散法制得。其中GTR的容量是所有功率晶体管中最大的，80年代中期已有600A/150V 、400A/550V、50A/1000V等几种。GTR的开关频率上限大致为100千赫。
　　
　　功率晶体管广泛应用于各种中小型电力电子电路作开关使用。GTR可用在如变频器、逆变器、斩波器等装置的主回路上。由于GTR无须换流回路,工作频率也可比晶闸管至少高10倍，因此它能简化线路，提高效率，在几十千瓦的上述装置中可以取代晶闸管。但GTR 的过载能力较差，耐压也不易提高，容量较小。未采用复合晶体管结构时,GTR的放大倍数较低（10倍上下）。比起容量较低的功率场效应晶体管,GTR的开关频率较低（采用复合结构时,频率仅为1千赫左右）。所以，功率晶体管的应用受到一些限制。
　　
　　自80年代中期以来,GTR正向大容量、复合管及模块组件化等方向发展，将在几百千瓦或更大容量的装置中取代晶闸管。
　　

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。