1) field effect transistor of PNP type
PNP型场效应管
2) P-N-P transistor
PNP型晶体管
3) JFET
结型场效应管
1.
A Type of Negative-resistance Device Constructed by Complementary JFET;
一种互补结型场效应管负阻器件
2.
Finally,an N channel JFET common source emitter amplifier circuit was taking as example and used in the mixed signal simulator SMASH5.
提出一种基于SPICE模型半导体器件的VHDL-AMS行为建模方法,给出了结型场效应管模型中温度效应、噪声、直流和电容方程的行为模型,最后以N沟道结型场效应管共源极放大电路为例在混合信号仿真器SMASH5。
3.
Because of the nonlinearity of the diode and JFET in the circuit, the disturbance caused by the nonlinearity of the pho- totransistor in the sensor was reduced effectively.
利用二极管及结型场效应管的非线性特性，对光电传感器输出信号进行了非线性处理，有效地消除了由于传感器中光电三极管的非线性而引起的附加干扰，提高了传感器的抗干扰能力，增强了实际应用的适应性。
4) Root FET model
Root场效应管模型
5) depletion mode FET
耗尽型场效应管
1.
This paper takes the sampling circuit as its object,designs the circuit with CMOS technology and taking advantage of the depletion mode FET,to avoid current flow backwards from the output port into the substrate,when the input voltage is lower than the output voltage.
以采样电路为对象,采用CMOS工艺,利用耗尽型场效应管的V-I特性设计电路,达到输入电压低于输出电压时,防止输出端的高电位向衬底反灌电流的目的。
6) FET model
场效应管等效模型
1.
Based on the analysis of FET model and the equivalent structure of ATL,a DC～20 GHz VVA(Voltage Variable Attenuator)is designed and manufactured.
在分析场效应管等效模型的基础上,结合ATL结构的特点,设计并制作了一种宽带电压可变衰减器,在DC~20GHz内实现了插入损耗低于3dB、端口驻波小于2。
补充资料：结型场效应晶体管
结型场效应晶体管
junction field effect transistor
妇exingchongx}OOying妇ngtjgUOn结型场效应晶体管(j unction field effecttransistor)利用半导体PN结反向偏置条件下的电场效应进行工作的场效应半导体器件。其特点是栅源间的电阻高，可以达到10?n以上，它是电压控制器件，所需控制电流极微，且受温度、辐射等外界条件影响小，广泛应用于放大电路和开关电路中，也可做为压控电阻使用。 结构和工作原理结型场效应晶体管的结构示意图如图1〔a)所示。在一块N型半导体材料两边扩散高浓度的P型区(用P+表示)，形成两个PN结。从两边P十型区引出两个欧姆接触电极并连在一起称为栅极g，在N型本体材料的两端各引出一个电极，分别称为源极S和漏极d。中间的N型区是载流子通过漏、源两极的通路，称为导电沟道。具有这种结构的结型场效应图IN沟道结型场 效应晶体管(a)结构示意图;(b)图形符号晶体管称为N沟道管，图1(b)是它的图形符号。还有一种与它对偶的结构形式称为P沟道管，它的图形符号，栅极箭头应向外。沟道的上下两侧与栅极分别形成PN结，改变加在PN结两端的反向偏置电压，就可以改变导电沟道的宽度，实现以改变栅源电压uGs来控制电流￡D的目的。uGs值越负，导电沟道越窄，当uGs加大到一定值时，导电沟道被夹断，坛、0，这时的uGs称为夹断电压:印。 特性曲线当。Ds一定时，uGs和场之间的关系称fD，nl产11〕55“Ds二常数为转移特性，见图2。在脚簇uGs簇0范围内，iD随uGs的增加(负值减少)近似按平方律上升，故有;_;卜_竺{ \祝P/uGs，V图2转移特性式中IDs。称为饱和漏极电流。这一特性常被用来作为混频调制和检波。转移特性上工作点的斜率，称为跨导gm，它是表征结型场效应晶体管放大能力的一个重要参数，单位为毫西(ms)。此外，尚有漏极特性(亦称输出特性)，它描述以uGS为参变量时，而和uDs之间的关系，见图3。飞从图中可见，管子的工作状态可以分成三个区:①可变电阻区。该区的特点是uDs较小，扬几乎与uDs成线性关系增”加。增加的比值由uGs控可变电阻区“cs之OV恒流区一ZV』卫一4V 夹断区为s，v图3漏极特性制。这时结型场效应晶体管的d、s之间可以看成一个由电压匆s控制的可变电阻。②恒流区(也称饱和区)。曲线近似水平的部分是恒流区，uDs较大。该区的特点是in的大小受uGs控制，而当uDs增大时，扬只略有增加，因而可以把iD近似看成为一个受uGS控制的电流源。③夹断区。当uGS
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