1) VFTO
特快速暂态过电压
1.
The insulation of apparatus in the power system is often broken by the very fast transient overvoltage(VFTO)which is caused by the operation of disconnector in gas insulate substation(GIS) In this paper, a new idea for the suppressing VFTO by ferrite is put forward, and the characteristic of ferrite is analyzed.
GIS中隔离开关操作时产生的特快速暂态过电压对电力系统及其设备的绝缘具有巨大的破坏力,本文提出了采用铁氧体来抑制GIS中隔离开关操作时产生VFTO的方法,分析铁氧体抑制VFTO的优点,对VFTO的抑制效果进行了实验研究和仿真分析,探讨了具有理想抑制效果的铁氧体参数的具体要求和对理想抑制参数的铁氧体尺寸的估算方法。
2.
Very Fast Transient Overvoltage (VFTO) is a kind of switching impulse overvoltage with very steep front caused by the switching operation in Gas Insulated Substation.
特快速暂态过电压(VFTO)是由气体绝缘变电站开关操作产生的一种陡波前过电压,它的直接入侵会对变压器绕组的纵绝缘造成极大危害。
3.
Switching operations in Gas Insulated Substations (GIS) may generate Very Fast Transient Overvoltage (VFTO) which is a kind of instantaneous overvoltage lasting for a few milliseconds.
气体绝缘变电站(GIS)中的分合闸操作产生的特快速暂态过电压(VFTO)是一种持续时间几毫秒,上升沿几纳秒至几十纳秒的暂态过电压信号,它的振荡频率在几兆赫兹到几十兆赫兹。
2) very fast transient overvoltage
特快速暂态过电压
1.
The Study on Transformer in Gas Insulated Substation Influenced by Very Fast Transient Overvoltage;
特快速暂态过电压对气体绝缘变电站变压器影响的研究
2.
In GIS, the switching of a disconnector will produce very fast transient overvoltage (VFTO), which could damage the insulation of GIS and other connected equipments (such as transformer) and produce electromagnetic interference into low voltage control systems.
气体绝缘金属封闭开关设备(GIS)中隔离开关的操作会产生特快速暂态过电压(VFTO),可能导致GIS本体及其相连的设备(如变压器)绝缘损坏,并可能产生电磁干扰,影响二次设备。
3.
In order to study the very fast transient overvoltage(VFTO)distribution in taper winding of pulse transformer(PT)under high-frequency voltage surge of steep front,a distributed line model of PT s secondary winding is built based on multiconductor transmission line(MTL)theory.
为了研究在陡波前、高重复频率的电压冲击下,脉冲变压器(PT)锥形绕组中的特快速暂态过电压(VFTO)分布特性,建立了基于多导体传输线(MTL)理论的PT二次绕组分布参数模型;利用锥形绕组结构上的特性,提出一种有限元法(FEM)和插值公式相结合的方法以快速计算锥形绕组的感应系数矩阵K;通过求解频域下的电报方程可得到绕组的对地电压分布以及匝间电压分布;进行了绕组暂态电压的测量,从实验结果可以看出电压分布的一定规律,并分析了造成计算与实验结果间误差的原因;结合实验提出一种改善电压分布的措施,对大功率PT二次绕组的绝缘设计有一定的参考意义。
3) very fast transient overvoltage(VFTO)
特快速暂态过电压
1.
With the help of PSCAD/EMTDC software,the very fast transient overvoltage(VFTO) which occurs during operation on main transformers and outgoing lines in the 500 kV GIS substation for Jiangsu Pumped-Storage Power Station is calculated and analyzed,and a typical 500 kV main transformer is taken as an example to describe the effects of VFTO on main transformers during various operation.
采用PSCAD/EMTDC软件计算分析了江苏抽水蓄能电站500 kV G IS变电站在主变、出线操作时的特快速暂态过电压(VFTO),并以1台典型的500 kV主变为例,分析多种操作情况下特快速暂态过电压对主变的影响。
4) very fast transient over-voltage(VFTO)
快速暂态过电压
1.
This paper presents the analysis of very fast transient over-voltage(VFTO) in GIS generated by disconnected switch operation.
阐述了气体绝缘开关装置(GIS)中隔离开关操作所产生的特快速瞬变过程(VFT),分析了快速暂态过电压(VFTO)形成的机理、特性及其对GIS本身和相连的电力变压器可能带来的危害。
5) VFTO
快速暂态过电压
1.
Influence of Opening and Closing Resistor of Disconnecting Switches to VFTO in 750kV GIS;
750kV GIS中隔离开关的分合闸电阻对快速暂态过电压的影响
2.
Insulation failure inside or outside GIS can be caused by very fast transient overvoltage (VFTO) generated during operating disconnectors in GIS.
SF6气体绝缘开关装置 (GIS)中的隔离开关在操作时产生的快速暂态过电压 (VFTO) ,会造成 GIS的绝缘击穿事故。
6) very fast transient overvoltage
快速暂态过电压
1.
Comparison and analysis between test and numerical simulation of very fast transient overvoltage;
快速暂态过电压试验与数值模拟对比分析
2.
Characteristic of very fast transient overvoltage and its influencing factors in EHV GIS
超高压GIS内部快速暂态过电压计算及其影响因素
3.
With the enhancement of gas-insulated switchgear (GIS) running voltage and SF6 pressure, the very fast transient overvoltage (VFTO) due to the operation of disconnecting switch is becoming increasingly serious, which causes faults of the main transformer connected with the GIS and other problems.
随着全封闭气体绝缘组合开关(GIS)运行电压和SF6气压的提高,因隔离开关操作引起的快速暂态过电压(VFTO)也日益明显和严重,引起与GIS相连的主变故障及其他问题。
补充资料：电力系统特快速瞬态过电压
电力系统特快速瞬态过电压
very fast transient over voltage in electric power system,VFTO
后才能熄灭，结束一次重嫌过程。随着触头距离的不断加大，击穿电压增加，过电压幅值也逐渐增大，一直到触头间的电压不再超过击穿电压时结束重嫌过程。图中Um为最大过电压幅值。┌─────┬─────────┐│灿头分开 ├─────┐/r/ ││ l │、一厂 │ ││ l │ 、 │ ││瓜笋粉 │ 、 │ ││ │ 、 │ ││ │ 、 │ ││ │ 、│ │└┬────┼─────┼───┤ │/ │ │ I │ └────┘ │ I │ │， │ │I │ └───┘ 特快速瞬态过电压产生的示意图 隔离开关触头运动速度较低，一次操作过程中有可能发生数十次甚至数百次重嫩过程。类似的特快速瞬态过程也可在GIS隔离开关合小电容电流时产生。 VFTO一般不超过2.op.u.，有的可达2，5 p.u.，极少达到3.0 p.u.。VFTO水平的平均值，一般低于雷电冲击耐受水平.对采用GB3ll.1一1997和IEC71一1(1993)标准规定的倾定绝缘水平的缺陷的Gls绝缘不起周值作用. 特快速瞬态过电压的波前陡度与隔离开关触头间的电场均匀程度、电极间隙距离、气体性质和压力大小以及Gls的结构等因素有关。一般其初始前沿在3~Zoon，之间。GIS中SF。气体具有很高的绝缘强度，触头间的击穿距离相对较小，这种情况下发生击穿时，触头两端电压可在数纳秒时间内突然下降，使注入的阶跃波具有极高的陡度。 实际隔离开关操作多次重嫌引起的整个瞬态过程是由GIS中各不同节点的折射波和反射波的盛加而形成的，过电压波形要比上述的更为复杂。 特快速过电压对Gls内部绝缘的影响与SF。气体在陡波作用下的绝缘耐受能力有关。陡波前过电压的波前时间以纳秒计，比标准蓄电冲击波的小得多。SF‘气体在陡波前过电压作用下的绝缘性能还与波的极性有关，而且击穿电压的分散性很大。对于有缺陷的SF。绝缘系统，可能由于电极表面凹凸不平造成电场不均匀，在这种情况下绝缘耐受陡波前过电压的能力将下降很多。
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参考词条