1) flouride doped tin dioxide
摻氟二氧化锡
2) F-doped tin oxide
掺氟二氧化锡
1.
Research on preparation and electric properties of F-doped tin oxide nanopowder;
掺氟二氧化锡纳米粉的制备及电性能研究
3) FTO
氟掺二氧化锡
1.
This article describes a practical solution of high -accuracypatterning of fluorinedoped tin oxide (FTO), making FTO an attractive replacement for ITOfor PDPs.
本文介绍了一种实用的形成氟掺二氧化锡(FTO)高精确度图案的解决方案,使得FTO在PDP中成为一种很具吸引力的ITO替代品。
4) tin bifluoride
二氟化锡
5) difluoroalkyltin oxide
二氟碳基锡氧化物
1.
Seven organotin carboxylate compounds not yet published in any document were synthesized through the reaction of difluoroalkyltin oxide (n-C_6F_(13)CH_2CH_2)_2SnO or dibutyltin oxide (n-C_4H_9)_2SnO with ArCOOH with high yields (68%～95%), and these compounds were characterized with ()~1H NMR.
以二氟碳基锡氧化物(n-C6F13CH2CH2)2SnO,二正丁基锡氧化物(n-C4H9)2SnO和不同结构的芳香羧酸ArCOOH为原料,较高产率(68%~95%)地合成了尚未见文献报道的7种二烃基锡羧酸酯类化合物,并对这些化合物进行了表征。
6) doped-F Tin oxide
二氧化锡掺氟粉体
补充资料：银-氧化锡-氧化铟
分子式：
CAS号：
性质：银基含氧化锡(SnO2)和三氧化二铟(In2O3)的复合电接触材料，抗熔焊性和耐磨性能均良好。In2O3可改善电接触性能。如Ag-8SnO2-15In2O3的密度9.85～10.4g/cm3。布氏硬度785～1176.8MPa。电阻系数3.00～3.50×10-2Ω·mm2/m。用内氧化法制造。优良的中等负荷电接触材料，作断开电接点。
CAS号：
性质：银基含氧化锡(SnO2)和三氧化二铟(In2O3)的复合电接触材料，抗熔焊性和耐磨性能均良好。In2O3可改善电接触性能。如Ag-8SnO2-15In2O3的密度9.85～10.4g/cm3。布氏硬度785～1176.8MPa。电阻系数3.00～3.50×10-2Ω·mm2/m。用内氧化法制造。优良的中等负荷电接触材料，作断开电接点。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条