1) nonlinear optimization
非线性最优化
1.
Aiming at the nonlinear optimization problems with inequality restriction,we analyzed why the convergence speed of the traditional complex shape arithmetic was slow.
针对不等式约束非线性最优化问题,分析了传统复合形算法收敛速度慢的原因,提出了一种称为复合形旋转方向搜索的新算法,给出了算法的迭代计算流程和程序框图。
2.
We can use dual theory to change this particular nonlinear optimization problem into the solution of an equivalent system of linear equations.
指出了农产品出口贸易中国际市场研究的最优销售策略是一个几何规划问题，可以利用对偶原理把这一类特殊的非线性最优化问题转化成等价的线性方程组求解，以简化运算。
2) non-linear optimum inversion
非线性最优化反演
1.
The non-linear optimum inversion technique is based on the seismic information and the constraints from structural model and logging information and the technique can extract optimum prediction of the lateral variety of reservoir.
非线性最优化反演技术是基于地震信息以及构造模型和测井信息形成的约束[1],采用最优化方法进行反演[2]来最大限度地推断储层横向变化。
3) nonlinearly constrained optimization
非线性约束最优化
1.
Some Algothrom Theories and Application of the Nonlinearly Constrained Optimization Problem;
非线性约束最优化若干算法理论及应用研究
2.
The equations of nonlinearly constrained optimization are presented for the evaluation of the minimal circumscribed sphere.
本文把最小外接球的评定问题表述为非线性约束最优化问题,并采用有效约束技术求得精确的最优解。
4) nonlinear constrained optimization
非线性约束最优化
1.
A successive linear algorithm for nonlinear constrained optimization;
非线性约束最优化的一类逐次线性算法
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条