1) Ultraviolet detector
紫外探测器
1.
MOCVD growth and characteristics of high quality AlGaN used in the DBR structure of ultraviolet detector;
用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究
2.
High-accuracy radiance calibration system for ultraviolet detector
高精度紫外探测器辐射定标系统
3.
Schottky barrier GaN ultraviolet detectors are fabricated with a very low reverse saturation current density of 5.
18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器。
2) UV detector
紫外探测器
1.
GaN-based visible-blind UV detector and its research progress;
GaN基可见盲紫外探测器及其研究进展
2.
Influence of penetrating V-pits on leakage current of GaN based p-i-n UV detector
穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响
3.
Recently,ZnO has been regarded as promising materials for UV detectors due to its predominant optical and electrical properties.
近年来,ZnO基紫外探测器由于其优异的光电特性,已成为紫外探测领域研究中的新热点之一。
3) ultraviolet photodetector
紫外探测器
1.
Effect of p-GaN layer thickness on the performance of p-i-n structure GaN ultraviolet photodetectors;
p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响
2.
A new method to reduce the dark current of GaN based Schottky barrier ultraviolet photodetector;
一种减小GaN基肖特基结构紫外探测器暗电流的方法
3.
A new Schottky barrier structure of GaN-based ultraviolet photodetector;
一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器
4) ultraviolet detectors
紫外探测器
1.
Analysis of model and fabrication of AlGaN based PIN ultraviolet detectors;
AlGaN PIN结构紫外探测器研制和建模分析
2.
The basic mechanisms and developments of ultraviolet detectors have been described in this paper.
本文主要介绍了紫外探测器的原理和研究现状。
3.
The AlxGal-XN semiconductor materials were widely used in many fields,such as in the process of ultraviolet detectors.
Al_xGa_(1-x)N半导体材料有着广泛的用途,其中之一是在紫外探测器制作中的应用。
6) UV detector
紫外光探测器
1.
The effects of the grain orientation on the performance of diamond film UV detectors;
薄膜取向性对金刚石紫外光探测器性能的影响
补充资料：紫外辐射探测器
测量太阳紫外辐射强度的器件。常用的紫外辐射探测器有三种。
照相乳胶 常使用的有伊斯曼IVO-UO胶卷和 SWR依尔福型感光板。在远紫外区太阳辐射很强，可以进行高光谱分辨率的分光光度研究。照相时曝光一般不超过一分钟。但是，照相探测技术不可避免地受到长波散射光的影响和某种贯穿粒子辐射(特别是卫星通过辐射带时)造成胶卷背景变黑。另外，还要解决空间拍摄资料的回收问题。
光电倍增管 它的光谱响应，决定于窗口透射性能与光电阴极材料的光电发射特性。响应的长波端主要决定于光阴极特性,短波端决定于窗材料。对于1500～3000埃范围内的紫外辐射测量，常采用有窗结构。石英、氟化镁等是透过紫外辐射的最好窗材料，它们的透射限如下表：
为了排除长波辐射及其杂散光的干扰，其阴极常用"太阳盲"阴极材料,如Cs-Sb、Cs-I、Cs-Te、Rb-Te和Cs-Rb-Te等。Cs-Rb-Te阴极在中、远紫外辐射的量子效率为10-2～10-1电子/量子,而对3500埃以上长波响应则小于10-4电子/量子。用太阳盲光电阴极结合透射限低的窗材料，就可以制成中、远紫外光谱区的光电倍增管，如EMI6255B、6256B。用Cs-Te作阴极,熔硅作窗,光谱响应可达1050埃。对于波长 300～1050埃范围内的远紫外辐射探测器常采用无窗结构。例如,在轨道太阳观测台4号的太阳紫外分光计和单色光计所采用的本迪克斯M－300磁电子倍增器。它是一种电场与磁场正交的倍增器。这种管子通常用钨丝（或不活泼金属）作为光电阴极。阴极的量子效率在入射波长小于1200埃时会急剧增长，其原因是产生了体光电效应，所以，本迪克斯M-310对λ<1200埃太阳短波辐射很灵敏,而对λ>1200埃长波辐射不敏感。这种管子体积小,重量轻，灵敏度高，耗功少,在空间探测方面广泛应用。还可用一个荧光面，将紫外光转换为可见光，再与一个通常对可见光敏感的光电倍增管配合，用来测量紫外辐射。
微通道板 由很多微小的通道电子倍增管组合而成。这是一种有前途的新型紫外光谱光电探测器。它既具有大多数光电探测器所没有的图像增强能力，又具有照相底片所不能比拟的可记录低计数率光子的能力。目前，通道板能做到每个通道的直径为 15微米，增益104以上。用这种通道板还可制成带有光阴极的探测紫外辐射的图像增强器，能探测到个别光子事件。
照相乳胶 常使用的有伊斯曼IVO-UO胶卷和 SWR依尔福型感光板。在远紫外区太阳辐射很强，可以进行高光谱分辨率的分光光度研究。照相时曝光一般不超过一分钟。但是，照相探测技术不可避免地受到长波散射光的影响和某种贯穿粒子辐射(特别是卫星通过辐射带时)造成胶卷背景变黑。另外，还要解决空间拍摄资料的回收问题。
光电倍增管 它的光谱响应，决定于窗口透射性能与光电阴极材料的光电发射特性。响应的长波端主要决定于光阴极特性,短波端决定于窗材料。对于1500～3000埃范围内的紫外辐射测量，常采用有窗结构。石英、氟化镁等是透过紫外辐射的最好窗材料，它们的透射限如下表：
为了排除长波辐射及其杂散光的干扰，其阴极常用"太阳盲"阴极材料,如Cs-Sb、Cs-I、Cs-Te、Rb-Te和Cs-Rb-Te等。Cs-Rb-Te阴极在中、远紫外辐射的量子效率为10-2～10-1电子/量子,而对3500埃以上长波响应则小于10-4电子/量子。用太阳盲光电阴极结合透射限低的窗材料，就可以制成中、远紫外光谱区的光电倍增管，如EMI6255B、6256B。用Cs-Te作阴极,熔硅作窗,光谱响应可达1050埃。对于波长 300～1050埃范围内的远紫外辐射探测器常采用无窗结构。例如,在轨道太阳观测台4号的太阳紫外分光计和单色光计所采用的本迪克斯M－300磁电子倍增器。它是一种电场与磁场正交的倍增器。这种管子通常用钨丝（或不活泼金属）作为光电阴极。阴极的量子效率在入射波长小于1200埃时会急剧增长，其原因是产生了体光电效应，所以，本迪克斯M-310对λ<1200埃太阳短波辐射很灵敏,而对λ>1200埃长波辐射不敏感。这种管子体积小,重量轻，灵敏度高，耗功少,在空间探测方面广泛应用。还可用一个荧光面，将紫外光转换为可见光，再与一个通常对可见光敏感的光电倍增管配合，用来测量紫外辐射。
微通道板 由很多微小的通道电子倍增管组合而成。这是一种有前途的新型紫外光谱光电探测器。它既具有大多数光电探测器所没有的图像增强能力，又具有照相底片所不能比拟的可记录低计数率光子的能力。目前，通道板能做到每个通道的直径为 15微米，增益104以上。用这种通道板还可制成带有光阴极的探测紫外辐射的图像增强器，能探测到个别光子事件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条