1) magnetic thinfilms
Co磁性薄膜
2) Co-Pt-W(P) magnetic thin films
Co-Pt-W(P)磁性薄膜
3) Co magnetic film
Co磁性膜
4) magnetic thin film
磁性薄膜
1.
Integrated processes of YIG magnetic thin film in low temperature;
YIG磁性薄膜低温集成工艺
2.
Research progress of measured methods for microwave electromagnetic parameter of magnetic thin films;
磁性薄膜微波电磁参数测试方法研究进展
3.
Formation mechanism and physical properties of a magnetic thin film system deposited on liquid substrates;
沉积在液相基底表面磁性薄膜的形成机理和特性研究
5) magnetic film
磁性薄膜
1.
Thermodynamic properties of ferromagnetic films in variational cumulant expansion;
磁性薄膜热动力学性质的变分累积展开研究
2.
The magnetostatic wave propagation in slot wavegide consisting of superfical magnetic films is analyzes theoretically.
理论分析了传播在层状磁性薄膜开槽波导中的表面静磁波 ,具体计算了具有不同饱和磁化情况下 ,表面静磁波传播在开槽波导中的磁场分布和能量分
3.
The characteristics, structure, properties and grade of magnetic films are described.
介绍了磁性薄膜的种类、特性、结构和性能。
6) magnetic thin films
磁性薄膜
1.
Mechanism of spin reorientation of magnetic thin films
磁性薄膜自旋重取向的机制
补充资料：磁性材料2．薄膜磁性材料
磁性材料2．薄膜磁性材料
Magnetie Materials 2.Thin Film
在一定外加磁场作用下，其反磁化畴(磁矩取向与外磁场方向相反的畴)变为圆柱形磁畴。从膜面上看，这些柱形畴好像浮着的一群圆泡，故称磁泡或叫泡踌(另见磁性材料2.昨晶态磁性材料)。在特定的电路图形、电流方向和一定磁场情况下，可做到控制材料中磁泡的产生、传翰和消失，实现信息的储存和逻辑运算的功能。磁泡的直径在微米量级(0 .5~5协m)，每个磁泡的迁移率在1 .26~12.6em八s·A/m)〔 102一i03cm八s·oe)〕，因而可制成存储密度为兆位/cmZ(Mbit/cmZ)和数据处理速率为兆位/s(M肠t/s)的运算器件。磁泡器件经过近20年研究和开发，已取得广泛的实际应用。 对磁泡材料的主要要求是:(l)各向异性常数凡>粤斌，磁化强度从>外磁场强度H;(2)杂质缺陷小，2一~”~’.J泌~-一‘产’~~一~一’、~尹一~~~’J”均匀性好。目前研究得比较清楚的有铁氧体单晶薄膜和稀土一过渡金属薄膜。从制备工艺和性能稳定、器件开发等情况看，以铁氧体磁泡材料比较成熟，早期是用钙钦石型铁氧体单晶片来作磁泡材料，后为YIG单晶薄膜所取代。它是用液相外延法在Gd3Ga5OI:(简称GGO)基片上生成的单晶薄膜，其厚为微米量级。表4为稀土石榴石R3FesolZ的磁性;表5为一些磁泡材料的基本特性数值。农4稀土石抽石R.Fe‘ol，的磁性┌───────────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬─────┬────┬────┐│R │Y │Sm │EU │Gd │Tb │Dy │、Ho │Er │T】11 │Yb │Lu │├───────────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼─────┼────┼────┤│补偿温度，~p，K │ 560 │ 560 │ 570 │ 290 │ 246 │ 220 │ 136 │ 84│4
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条