1) Breakdown field
微波击穿场强
4) microwave breakdown
微波击穿
1.
Experimental study of the microwave breakdown characteristics of passive tritium TR-tubes;
氚型TR管微波击穿特性的实验研究
2.
When high power microwave is induced to the transformer,microwave breakdown will first occur at the end of the probe.
数值模拟表明:转换器探针的精细结构会对计算结果产生很大影响;在大功率微波注入时,微波击穿将首先发生在转换器探针的底部。
5) electric breakdown strength
电击穿场强
1.
We studied the fractured morphology,aggregate structure,thermal stability,mechanical property and electric breakdown strength of hybrid films.
用不同用量硅烷偶联剂处理纳米Al2O3粉体,并借助超声波以一定方式将其均匀分散于聚酰胺酸溶液中,制备出不同偶联剂用量的PI/纳米Al2O3杂化薄膜,并对该杂化薄膜的断面形貌、聚集态结构、热稳定性、力学性能、电击穿场强进行表征测试分析。
2.
In this paper, electric breakdown strength of solid dielectric thin films is discussed theoretically, and the existing measure methods and the data obtained by numerous r.
它们的电击穿场强是一个特殊的特性参数。
3.
Silicon oxide films were prepared by RF magnetron reactive sputtering on a monocrystalline silicon wafer;and the composition and influence of the preparation process on the surface morphology and electric breakdown strength were studied.
采用射频磁控反应溅射法在单晶硅片上制备了氧化硅(SiOx)薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和电击穿场强的影响。
补充资料：饱和场强
分子式：
CAS号：
性质：铁电体处于饱和极化状态时的外电场强度。在外电场作用下铁电体内的电畴起初随外电场强度正的提高逐步取向排列，极化强度相应增加，当达某一场强时，极化强度不再增加，因电畴均按外电场方向定向排列整齐，继续增加外电场强度也不会提高极化强度，相当于饱和极化状态。烧成后的压电陶瓷要经过人工极化处理(外加直流电场)后才具有压电性。极化场强一般为2.5～4.5kV/mm，具体数值根据不同材料组成及制品尺寸而定。当外电场强度过高时，可能导致材料击穿而破坏。
CAS号：
性质：铁电体处于饱和极化状态时的外电场强度。在外电场作用下铁电体内的电畴起初随外电场强度正的提高逐步取向排列，极化强度相应增加，当达某一场强时，极化强度不再增加，因电畴均按外电场方向定向排列整齐，继续增加外电场强度也不会提高极化强度，相当于饱和极化状态。烧成后的压电陶瓷要经过人工极化处理(外加直流电场)后才具有压电性。极化场强一般为2.5～4.5kV/mm，具体数值根据不同材料组成及制品尺寸而定。当外电场强度过高时，可能导致材料击穿而破坏。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条