2) low-temperature polycrystalline Si film
低温多晶Si薄膜
1.
High-quality low-temperature polycrystalline Si films were obtained under the optimal amount of H_2 in the source gas.
以SiH4,Ar和H2为反应气体,采用射频等离子体化学气相沉积方法在300℃下制备了低温多晶Si薄膜。
3) nanograin polycrystalline silicon films
纳米晶粒多晶Si 薄膜
4) Hydrogenated amorphous Si film
氢化非晶Si薄膜
5) microcrystalline silicon(μc-Si) thin film
微晶Si(μcSi)薄膜
6) polycrystalline thin films
多晶薄膜
1.
SnTe polycrystalline thin films are deposited by the vacuum evaporation method from the former SnTe crystals, and their microstructure, electrical properties, and surface appearance are studied.
以制备的晶体为原料用真空蒸镀法制备了银灰色SnTe多晶薄膜,并对薄膜的显微结构、伏安特性及表面形貌进行了研究。
2.
In this paper,the absorption coefficient α(λ) ,the extinction coefficient k(λ) ,the refractive index n(λ) and the optical energy gap E g(λ) of CuInSe 2 polycrystalline thin films were studied by the properties of the reflection and transmission.
根据ＣｕＩｎＳｅ２多晶薄膜的反射特性和透射特性，研究了薄膜的吸收系数α（λ）、消光系数ｋ（λ）、折射率ｎ（λ）以及光学禁带宽度Ｅｇ。
3.
AlSb polycrystalline thin films are prepared by vacuum co-evaporation and post-annealing.
采用元素共蒸发法结合退火处理制成了AlSb多晶薄膜。
补充资料：多晶莫来石晶须(纤维)
分子式：
CAS号：
性质：莫来石相为主晶相的多晶纤维。化学成分为Al2O3 72％～77％，SiO222％～17％，B2O3 3％～5％，P2O51.5％～3.0％。纤维直径2～7μm，纤维长度20～125μm。使用温度1350℃。多采用溶胶-凝胶法制造。主要用作补强填料，也可作为轻质、隔热保温材料使用。
CAS号：
性质：莫来石相为主晶相的多晶纤维。化学成分为Al2O3 72％～77％，SiO222％～17％，B2O3 3％～5％，P2O51.5％～3.0％。纤维直径2～7μm，纤维长度20～125μm。使用温度1350℃。多采用溶胶-凝胶法制造。主要用作补强填料，也可作为轻质、隔热保温材料使用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条