1) material property extracting
材料参数测量
2) material parameter
材料参数
1.
Measurement of material parameters for radial tire belt by Moire method;
应用云纹法测试子午线轮胎带束层材料参数
2.
A method to acquire the material parameters of thin-walled tube was suggested,which combined the FEM and genetic algorithm.
针对薄壁钢管材料参数确定问题,采用有限元软件与遗传算法相结合的反求方法,确定了钢管的材料参数,并验证了这些参数。
3.
The numerical simulation is used in the process of deep drawing of the box part , using dynamic explicit FEA software DYNAFORM,the influence of FLD, the distribution of thickness, and the thinning rate which is worked in the deep drawing process of different kinds of blanks and material parameter is researched.
基于DYNAFORM动力显式有限元分析软件,将数值模拟技术应用于某盒形件的拉深成形过程,研究了该件的一次拉深成形,不同的毛坯形状、尺寸,以及不同的材料参数对该盒形件拉深的成形极限图、厚度分布、减薄率的影响。
3) material parameters
材料参数
1.
The influence on temperature and stress of ladle by the structural size and material parameters;
结构及材料参数对钢包温度场、应力场影响的仿真研究
2.
We build the three-dimension numerical model for the automobile's side frame outer panel by the CAD software,UG and translate it into the DYNAFORM for building its FEM model;then we analyze some influencing factors to stamping through simulation,which indude blank size,pressure-pad-force,material parameter's n and r,finally,We offer the proper blank size and material parameters.
使用UG三维CAD软件对汽车侧围外板零件进行三维建模,并转换到Dynaform中建立了侧围外板零件的有限元模型;通过模拟计算分析讨论了坯料尺寸、压边力、材料参数n、r值对零件成形的影响,确定了合适的坯料尺寸和材料参数。
3.
The influence of friction coefficient and material parameters was analyzed.
通过对胀形成形进行仿真计算和实际测试分析,比较了不同润滑条件下的应变分布,确定了胀形成形时的静摩擦系数μ值,研究分析了摩擦系数和材料参数n、r值对胀形成形的影响。
4) material parameter ratio
材料参数比
5) Bi-material Parameters
双材料参数
1.
This paper studies the common characteristics of bi-material parameters expression used in characteristic equations and its discriminant.
研究了特征方程组及其判别式中材料参数表达式的共性特征,对双材料参数表达式做了进一步推导,得出了双材料参数的统一表达式,并给出双材料参数对应力场的影响规律。
补充资料：半导体材料电学参数测量
半导体材料电学参数测量
electric parameter measurement for semiconductor material
bondaot一eaillao dlonxue eanshu Cellong半导体材料电学参数测量(eleetric parame-ter measurement for semieonduetor material) 电学参数是半导体材料测量的重要内容。它主要包括导电类型、电阻率、寿命和迁移率测量。 导电类型测量半导体的导电过程存在电子和空穴两种载流子。多数载流子是电子的称n型半导体;多数载流子是空穴的称p型半导体。测量导电类型就是确定半导体材料中多数载流子的类别。常用的方法有冷热探针法、整流法等。冷热探针法是利用温差电效应的原理，将两根温度不同的探针与半导体材料表面接触，两探针间外接检流计〔或数字电压表)形成一闭合回路，根据两个接触点处存在温差所引起的温差电流(或温差电压)的方向可以确定导电类型。整流法是利用金属探针与半导体材料表面容易构成整流接触的特点，可根据检流计的偏转方向或示波器的波形测定导电类型。常用三探针或四探针实现整流接触。霍耳效应亦可测定半导体材料的导电类型。 电阻率测量电阻率是长km，截面积Icm“材料的电阻，它反映了半导体材料导电能力的大小。测量电阻率的方法较多，最基本的有两探针法、直线四探针法、扩展电阻法和专门用于薄片状半导体材料的范德堡法等。两探针法是在一电阻率均匀的规则样品上通过恒定的直流电流，两根沿电流方向排列的探针与样品压触，测量两根探针间的电位差(图1)。 片!遥里熬 图1两探针法测量半导体电阻率示意图 电阻率可用下式计算: :一令又登式中VT为探针间的电位差，mV;I为通过样品的直流电流，mA;A为样品截面积，。m“;L为探针间距，Cm。直线四探针法是用一直线排列的四根探针与一相对于探针间距是半无穷大的样品表面压触，外面探针通过恒定直流电流，测定中间两根探针的电位差(图2)。夔厂- 图2四探针法测量半导体电阻率示意图 样品的电阻率可用下式计算: V。 P=2二S只专望 ‘，~‘、乙魂式中S为探针系数，cm;v23为中间两根探针电位差的测量值，mV;11、为通过样品的电流，mA;对于直线排列的四探针，探针系数S为: s一(冬+粤一尸份一二共-)一: 一、S一53 51+S:52+532式中51、S。和53分别为相应的探针间的距离，cm。
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参考词条