1) meso-piezoresistive effect
介观压阻效应
1.
This letter used a piezoresistive effect-meso-piezoresistive effect-in a double-barrier resonant tunneling(DBRT) structure,took GaAs/AlAs/InGaAs DBRT film as core component,and deviced a transducer with a film fixed around.
对运用共振隧穿双势垒(DBRT)结构中的一种压阻效应原理——介观压阻效应,用GaAs/AlAs/InGaAs DBRT结构薄膜作为敏感元件,设计了一个周边固支平膜片结构的压力传感器。
2.
High-sensitivity device based on meso-piezoresistive effect of multi-barrier nano films was used to micro-machined gyroscope.
将利用多势垒纳米膜介观压阻效应的高灵敏度器件应用在陀螺中,提出了介观压阻效应微陀螺仪结构,并论述了其工作原理。
3.
The meso-piezoresistive effect is presented and its sensitivity is one order higher than that of silicon piezoresistive effect.
介绍了介观压阻效应,其灵敏度比硅压阻效应高一个数量级。
2) meso-piezoresistance effect
介观压阻效应
1.
The application of micro-machined gyroscope based on meso-piezoresistance effect was introduced in the paper because of limitation of the four traditional test methods of the micro-machined gyroscope.
首先说明了微机械陀螺的四种传统检测方法的局限性,然后设计了一种新型的基于介观压阻效应的GaAs/AlAs/In0。
2.
In this thesis, we study the Meso-piezoresistance Effect based on GaAs .
本文研究了基于GaAs超晶格半导体薄膜结构的“介观压阻效应”的加速度传感器的研究:在力学信号作用下,共振隧穿异质结(RTH)的内部应力分布发生变化;一定条件下应力变化引起内建电场的产生;内建电场将导致共振隧穿异质结中的量子能级发生变化;量子能级变化会引起共振隧穿电流的产生,通过上述四个物理过程可以将一个较弱的力学信号转化为较强的电学信号。
3) meso-piezoresistance
介观压阻效应
1.
A high sensitivity silicon micro-accelerometer based on meso-piezoresistance is proposed, in order to break through the tra-ditional electro-mechanical transformation and enhance the accelerometer sensitivity.
为了突破传统机电转换局限,提高加速度计灵敏度,提出以介观压阻效应为工作原理制作高灵敏度的硅微加速度计,基于这种原理设计一种四梁岛结构,通过理论分析与仿真计算,得出该结构在1gn输入下的输出,并对介观压阻灵敏度和压阻灵敏度的量级作出了比较,从理论上验证了采用介观压阻效应制作高灵敏度传感器的可行性,为此类加速度计的设计提供参考。
2.
A high sensitivity silicon micro-pressure sensor based on meso-piezoresistance effect is proposed,in order to break through the traditional electro-mechanical transformation and enhance the micro-pressure sensor sensitivity.
为了突破传统机电转换局限,提高压力传感器灵敏度,提出以介观压阻效应[1]为工作原理制作高灵敏度的硅微压力传感器,设计了一种圆形的平膜片结构,建立其三维实体有限元模型,通过理论分析与仿真计算,得出该结构的尺寸对其灵敏度、固有频率、谐振频率及模态振型的影响规律,为此类压力传感器结构的优化设计提供参考。
3.
A high sensitivity silicon-germanium accelerometer based on meso-piezoresistance effect is proposed in this letter,we took Si1-xGex/Si film as core component,and deviced double cantilever beamwith structure piezoresistive silicon-germanium acceleration sensor.
提出以介观压阻效应为工作原理制作高灵敏度压阻式硅锗加速度计,采用Si1-xGex/Si结构薄膜作为敏感元件,设计了一个双悬臂梁式的压阻式硅锗加速度计。
4) mesoscopic effect
介观效应
1.
Optimum grain size and mesoscopic effect;
最佳晶粒尺寸和介观效应
2.
The existence of optimum grain size is a new kind of mesoscopic effect, which is from the disability of Fermi statistics for negative oxide ions when the grain size reduced to a certain extent, according to the modification of Kubo theory for the grains keeping neuter to fermi statistics when the grain size reduced to charac.
最佳晶粒尺寸的存在是一种新的介观效应,它来自晶粒尺寸缩小到一定程度时反映吸附氧负离子的Fermi统计失效;根据当晶粒尺寸缩小到特征长度rm时晶粒将保持电中性的Kubo理论对Fermi统计公式进行修正,从而给出了最佳晶粒尺寸r0*=2rm的结果,并用Kubo理论电子逸出功公式估算了rm与r0*的数值。
5) piezoresistive effect
压阻效应
1.
Diameter-dependent piezoresistive effect of multi-walled carbon nanotube films;
管径相关的多壁碳纳米管膜的压阻效应
2.
The magnetoresistive and piezoresistive effect in diamond films;
金刚石膜的磁阻效应和压阻效应
3.
It is found that CFRP unidirectional laminates have piezoresistive effect.
结果表明:不同铺层方向CFRP单向层合板拉伸时体积电阻变化特性各不相同,该电阻变化特性比应力、应变能更多地反映有关材料内部结构变化的信息;CFRP单向层合板具有压阻效应,压阻效应随着应力的增加而增加,偏轴拉伸、横向拉伸时压阻效应比纵向拉伸时要大,且随铺层方向角的增大,压阻效应越来越明显。
6) piezoresistance effect
压阻效应
1.
Based on the principle of piezoresistance effect,piezoresistive pressure sensor is designed.
根据压阻效应原理设计了一压阻式压力传感器,从零点温度漂移和灵敏度温度漂移2个方面详细论述了传感器的温度补偿问题。
补充资料：半导体的压阻效应
指应力作用下半导体电阻率的变化。在一些半导体中有相当大的压阻效应，这与半导体的电子能带结构有关。
压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δ ρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量)有如下关系:π:k。由于对称二阶张量只有六个独立分量, 故亦可表达成这样，压阻张量可用6×6个的分量来表达。根据晶体对称性，像锗、硅及绝大多数其他立方晶系的半导体，压阻张量只有三个不等于零的分量，即π11、π12和π44。
测量压阻效应，通常有两类简单加应力的方法：①流体静压强效应。这时不改变晶体对称性，并可加很大的压强。锗、硅的电阻率都随压强增大而变大。②切应力效应。利用单轴拉伸或压缩，这时会改变晶体对称性。压阻系数Δ ρ/ ρk，与外力方向、电流方向及晶体结构有关。对锗、硅，压阻系数如下表所示：
20世纪50年代起，压阻效应测量曾作为研究半导体能带结构和电子散射过程的一种实验手段，对阐明锗、硅等主要半导体的能带结构起过作用。锗和硅的导带底位置不同,故其压阻张量的分量大小情况也不同。N型锗的π44比π11、π12大得多,而N型硅的π11却比π12、π44大。这表明锗导带底在<111>方向上，硅导带底在<100>方向上。对于P型半导体,也有过一些工作。利用压阻测量和别的实验（例如回旋共振等）,取得一系列结果,对锗、硅等的能带结构的认识具体化了。
现在,半导体的压阻效应已经应用到工程技术中,采用集成电路工艺制造的硅压阻元件(或称压敏元件)，可把力信号转化为电信号，其体积小、精度高、反应快、便于传输。
压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δ ρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量)有如下关系:π:k。由于对称二阶张量只有六个独立分量, 故亦可表达成这样，压阻张量可用6×6个的分量来表达。根据晶体对称性，像锗、硅及绝大多数其他立方晶系的半导体，压阻张量只有三个不等于零的分量，即π11、π12和π44。
测量压阻效应，通常有两类简单加应力的方法：①流体静压强效应。这时不改变晶体对称性，并可加很大的压强。锗、硅的电阻率都随压强增大而变大。②切应力效应。利用单轴拉伸或压缩，这时会改变晶体对称性。压阻系数Δ ρ/ ρk，与外力方向、电流方向及晶体结构有关。对锗、硅，压阻系数如下表所示：
20世纪50年代起，压阻效应测量曾作为研究半导体能带结构和电子散射过程的一种实验手段，对阐明锗、硅等主要半导体的能带结构起过作用。锗和硅的导带底位置不同,故其压阻张量的分量大小情况也不同。N型锗的π44比π11、π12大得多,而N型硅的π11却比π12、π44大。这表明锗导带底在<111>方向上，硅导带底在<100>方向上。对于P型半导体,也有过一些工作。利用压阻测量和别的实验（例如回旋共振等）,取得一系列结果,对锗、硅等的能带结构的认识具体化了。
现在,半导体的压阻效应已经应用到工程技术中,采用集成电路工艺制造的硅压阻元件(或称压敏元件)，可把力信号转化为电信号，其体积小、精度高、反应快、便于传输。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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