1) meso-piezo-resistance coefficient
介观压阻系数
2) meso-piezoresistance effect
介观压阻效应
1.
The application of micro-machined gyroscope based on meso-piezoresistance effect was introduced in the paper because of limitation of the four traditional test methods of the micro-machined gyroscope.
首先说明了微机械陀螺的四种传统检测方法的局限性,然后设计了一种新型的基于介观压阻效应的GaAs/AlAs/In0。
2.
In this thesis, we study the Meso-piezoresistance Effect based on GaAs .
本文研究了基于GaAs超晶格半导体薄膜结构的“介观压阻效应”的加速度传感器的研究:在力学信号作用下,共振隧穿异质结(RTH)的内部应力分布发生变化;一定条件下应力变化引起内建电场的产生;内建电场将导致共振隧穿异质结中的量子能级发生变化;量子能级变化会引起共振隧穿电流的产生,通过上述四个物理过程可以将一个较弱的力学信号转化为较强的电学信号。
3) meso-piezoresistance
介观压阻效应
1.
A high sensitivity silicon micro-accelerometer based on meso-piezoresistance is proposed, in order to break through the tra-ditional electro-mechanical transformation and enhance the accelerometer sensitivity.
为了突破传统机电转换局限,提高加速度计灵敏度,提出以介观压阻效应为工作原理制作高灵敏度的硅微加速度计,基于这种原理设计一种四梁岛结构,通过理论分析与仿真计算,得出该结构在1gn输入下的输出,并对介观压阻灵敏度和压阻灵敏度的量级作出了比较,从理论上验证了采用介观压阻效应制作高灵敏度传感器的可行性,为此类加速度计的设计提供参考。
2.
A high sensitivity silicon micro-pressure sensor based on meso-piezoresistance effect is proposed,in order to break through the traditional electro-mechanical transformation and enhance the micro-pressure sensor sensitivity.
为了突破传统机电转换局限,提高压力传感器灵敏度,提出以介观压阻效应[1]为工作原理制作高灵敏度的硅微压力传感器,设计了一种圆形的平膜片结构,建立其三维实体有限元模型,通过理论分析与仿真计算,得出该结构的尺寸对其灵敏度、固有频率、谐振频率及模态振型的影响规律,为此类压力传感器结构的优化设计提供参考。
3.
A high sensitivity silicon-germanium accelerometer based on meso-piezoresistance effect is proposed in this letter,we took Si1-xGex/Si film as core component,and deviced double cantilever beamwith structure piezoresistive silicon-germanium acceleration sensor.
提出以介观压阻效应为工作原理制作高灵敏度压阻式硅锗加速度计,采用Si1-xGex/Si结构薄膜作为敏感元件,设计了一个双悬臂梁式的压阻式硅锗加速度计。
4) meso-piezoresistive effect
介观压阻效应
1.
This letter used a piezoresistive effect-meso-piezoresistive effect-in a double-barrier resonant tunneling(DBRT) structure,took GaAs/AlAs/InGaAs DBRT film as core component,and deviced a transducer with a film fixed around.
对运用共振隧穿双势垒(DBRT)结构中的一种压阻效应原理——介观压阻效应,用GaAs/AlAs/InGaAs DBRT结构薄膜作为敏感元件,设计了一个周边固支平膜片结构的压力传感器。
2.
High-sensitivity device based on meso-piezoresistive effect of multi-barrier nano films was used to micro-machined gyroscope.
将利用多势垒纳米膜介观压阻效应的高灵敏度器件应用在陀螺中,提出了介观压阻效应微陀螺仪结构,并论述了其工作原理。
3.
The meso-piezoresistive effect is presented and its sensitivity is one order higher than that of silicon piezoresistive effect.
介绍了介观压阻效应,其灵敏度比硅压阻效应高一个数量级。
5) piezoresistance coefficient
压阻系数
1.
The comparison of two group Yb film sensors,one is unheated treatment and the other is heat treatment at 300 ℃ for 1 h in vacuum,indicates that the piezoresistance coefficient of the heated film is larger than not only the unheated,but also the Yb foils.
采用真空蒸发工艺制备镱薄膜传感器,在小于1GPa压力范围内对未经任何处理和300℃真空热处理1h两组镱薄膜传感器进行准静态加载标定,后者的压阻系数明显高于前者,并且大于箔式镱传感器的压阻系数,结合扫描电镜和电学性能测试分析,发现热处理有助于薄膜晶粒长大,降低薄膜电阻率,从而提高了镱薄膜传感器的压阻灵敏度。
2.
Although the film was the same metal construction feature as manganin alloy does,it has smaller crystalloid size,twice resistivity and less piezoresistance coefficient than the alloy.
但是 ,锰铜镀膜的结晶晶粒度与工业生产的锰铜合金还有较大差别 ,宏观物理量表现为 :电阻率偏高 ,冲击压阻系数偏小。
6) mesoscopic impedivity
介观阻抗率
1.
We put forward an physical concep for the mesoscopic impedivity of Fe-based nanocrystalline alloy for the first time, and its formula ρ=-μAt/Δ×H is obtained by using Maxwell system of equations.
提出了铁基纳米晶合金介观阻抗率的物理概念,用Maxwell方程组求得其计算公式ρ=-μaA/at/Δ×H,该式表明铁基纳米晶合金的介观阻抗率与材料内部的介观磁场强度H、介观磁矢势A和介观磁导率μ有关,磁矢势A是由介观结构引起的量子力学效应,是由合金的微观结构决定的。
补充资料：半导体的压阻效应
指应力作用下半导体电阻率的变化。在一些半导体中有相当大的压阻效应，这与半导体的电子能带结构有关。
压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δ ρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量)有如下关系:π:k。由于对称二阶张量只有六个独立分量, 故亦可表达成这样，压阻张量可用6×6个的分量来表达。根据晶体对称性，像锗、硅及绝大多数其他立方晶系的半导体，压阻张量只有三个不等于零的分量，即π11、π12和π44。
测量压阻效应，通常有两类简单加应力的方法：①流体静压强效应。这时不改变晶体对称性，并可加很大的压强。锗、硅的电阻率都随压强增大而变大。②切应力效应。利用单轴拉伸或压缩，这时会改变晶体对称性。压阻系数Δ ρ/ ρk，与外力方向、电流方向及晶体结构有关。对锗、硅，压阻系数如下表所示：
20世纪50年代起，压阻效应测量曾作为研究半导体能带结构和电子散射过程的一种实验手段，对阐明锗、硅等主要半导体的能带结构起过作用。锗和硅的导带底位置不同,故其压阻张量的分量大小情况也不同。N型锗的π44比π11、π12大得多,而N型硅的π11却比π12、π44大。这表明锗导带底在<111>方向上，硅导带底在<100>方向上。对于P型半导体,也有过一些工作。利用压阻测量和别的实验（例如回旋共振等）,取得一系列结果,对锗、硅等的能带结构的认识具体化了。
现在,半导体的压阻效应已经应用到工程技术中,采用集成电路工艺制造的硅压阻元件(或称压敏元件)，可把力信号转化为电信号，其体积小、精度高、反应快、便于传输。
压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δ ρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量)有如下关系:π:k。由于对称二阶张量只有六个独立分量, 故亦可表达成这样，压阻张量可用6×6个的分量来表达。根据晶体对称性，像锗、硅及绝大多数其他立方晶系的半导体，压阻张量只有三个不等于零的分量，即π11、π12和π44。
测量压阻效应，通常有两类简单加应力的方法：①流体静压强效应。这时不改变晶体对称性，并可加很大的压强。锗、硅的电阻率都随压强增大而变大。②切应力效应。利用单轴拉伸或压缩，这时会改变晶体对称性。压阻系数Δ ρ/ ρk，与外力方向、电流方向及晶体结构有关。对锗、硅，压阻系数如下表所示：
20世纪50年代起，压阻效应测量曾作为研究半导体能带结构和电子散射过程的一种实验手段，对阐明锗、硅等主要半导体的能带结构起过作用。锗和硅的导带底位置不同,故其压阻张量的分量大小情况也不同。N型锗的π44比π11、π12大得多,而N型硅的π11却比π12、π44大。这表明锗导带底在<111>方向上，硅导带底在<100>方向上。对于P型半导体,也有过一些工作。利用压阻测量和别的实验（例如回旋共振等）,取得一系列结果,对锗、硅等的能带结构的认识具体化了。
现在,半导体的压阻效应已经应用到工程技术中,采用集成电路工艺制造的硅压阻元件(或称压敏元件)，可把力信号转化为电信号，其体积小、精度高、反应快、便于传输。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条