1) anomalous total reflection
反常全反射
2) Abnormal Refraction
反常折射
1.
It shows that,for the one-dimensional photonic crystals,there are abnormal refraction in the first band.
结果表明,对于一维光子晶体,在第一能带内,存在反常折射现象。
3) anomalous refraction
反常折射
4) anomalous scattering
反常散射
1.
The method of using effective anomalous scattering factor method in determination of anomalous scattering factor f″_(Ga) for Ga near the K absorption edge in GaAs is discussed in the pa- per.
本文讨论用GaAs的有效反常散射因数来测定Ga在其K吸收限附近的f的方法,并用两组Bijvoet对的积分反射强度较好地求得了f。
补充资料：全反射X射线荧光分析
分子式：
CAS号：
性质：20世纪80年代迅速发展起来的一种高灵敏度痕量分析方法。当一束经过准直的X射线束，以低于全反射临界角φ投射到表面高度平滑的石英切割反射体（低通能量滤波器）时，低能X射线进行全反射，高能X射线被反射体材料折射和吸收而受到衰减，降低了散射背景。经全反射的高能X射线射到样品架上的μm级薄膜样品，激发被分析样品产生元素的特征X射线荧光，未被利用的入射X射线荧光被垂直放置的Si(或Li)探测器所检测，实现痕量元素的定性和定量分析。由于大大减少了原级X射线在样品架和样品上的相干和不相干散射，使散射本底较常规能量色散X射线荧光分析降低了3个数量级以上，大大降低了检出限，对原子序数大于11的大部分元素检出限可达到10-10～10-12g。此外还具有试样用样量少（μL或μg级）；可测定的元素和浓度范围广，除Na, Mg, Al, Si, P等轻元素外均可测；基体效应可以忽略；制样简便等优点。
CAS号：
性质：20世纪80年代迅速发展起来的一种高灵敏度痕量分析方法。当一束经过准直的X射线束，以低于全反射临界角φ投射到表面高度平滑的石英切割反射体（低通能量滤波器）时，低能X射线进行全反射，高能X射线被反射体材料折射和吸收而受到衰减，降低了散射背景。经全反射的高能X射线射到样品架上的μm级薄膜样品，激发被分析样品产生元素的特征X射线荧光，未被利用的入射X射线荧光被垂直放置的Si(或Li)探测器所检测，实现痕量元素的定性和定量分析。由于大大减少了原级X射线在样品架和样品上的相干和不相干散射，使散射本底较常规能量色散X射线荧光分析降低了3个数量级以上，大大降低了检出限，对原子序数大于11的大部分元素检出限可达到10-10～10-12g。此外还具有试样用样量少（μL或μg级）；可测定的元素和浓度范围广，除Na, Mg, Al, Si, P等轻元素外均可测；基体效应可以忽略；制样简便等优点。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条