1) semiconducting polymer materials
高分子半导电材料
3) conducting polymers
导电高分子材料
1.
With the developing of conducting polymers,the design,synthesis,characterization,and theoretical evaluation of small bandgap LCSs have acquired a growing interest.
详细介绍国内外在一类新型导电高分子材料 (CPs)—窄能隙导电高分子材料主要研究成果 ,这一领域正成为掺杂导电材料的有力挑战 ,为有机金属的研究提供了理论依据和新的发展方
4) conducting polymer
导电高分子材料
1.
It also includes the application and process of conducting polymer.
论述了复合型及结构型导电高分子材料的导电机理、应用和研究进展。
2.
In this paper, absorbing mechanism, syntheses methods, classes and absorbing properties of conducting polymers of conducting polymers are summarized.
导电高分子材料(PA、PAn、PPy、PTh、PPV等)具有分子结构可设计、成本低、易合成、加工方便,同时又具有对不同频率的微波产生吸收,且吸收频段宽、比重轻(密度:1。
3.
Polyaniline nanostructures had wide potential applications because of the advantages of both conducting polymers and nano-materials.
聚苯胺纳米结构同时具有导电高分子材料和纳米材料的优点,具有广阔的应用前景。
5) polymer conducting material
高分子导电材料
6) semiconductive polymeric materials
半导体性高分子材料
补充资料：半导体材料导电机理
半导体材料导电机理
conduction mechanism in semiconductor
bandaot{eall旧0 daodianJ}l-半导体材料导电机理(。onduetion meeha-nism in semieonduetor)半导体导电的特异性能是由它的导电机理决定的。半导体材料中除中子外还存在着带正电荷的空穴。在外电场作用下，电子和空穴漂移运动引起导电。电子和空穴统称载流子。导体的电阻R(n)可表示成 D_丝 R一卜于 S式中L为导体的长度，。m;S为导体的截面积，cmZ;尸为电阻率，n·cm。尸是表征导电能力大小的物理量。p的倒数，为电导率，以日一’·cm一’表示。I~v/R为熟知的欧姆定律，其微分形式为电流密度j(A/mZ) ]一aE式中E为某点的作用电场，V/m疥为比例系数。电流密度还可表示成 j=nq vd式中、为电子浓度，Cm一3;q为电子电荷，c;乱为平均漂移速度，。m/s。半导体中产生载流子的途径有两种:(l)本征激发:在温度的作用下，电子从价带顶直接激发到导带底，产生电子一空穴对，因此电子浓度等于空穴浓度，一p一n，，nlocT3/2‘勺ZKT，式中E:为禁带宽度;K为玻耳兹曼常数;T为绝对温度，K;n、为本征载流子浓度，cm一3，它强烈依赖于温度T。(2)杂质电离:浅能级施主杂质电离后，贡献电子给导带。室温下，施主掺杂浓度ND大于ni，主要是电子起导电作用，称为n型半导体，电子是多子，空穴是少子。反之，受主电离后，贡献空穴给价带，主要是空穴起导电作用，为p型半导体，空穴是多子，电子是少子。定义迁移率产一}剖，恙，式中:是平均漂移速度，。/s;二是夕卜电场强度，V/m。即单位电场作用下的平均漂移速度，表示载流子在外场作用下运动的难易程度。载流子在运动过程中，不断受到散射，川mZ/V·s)与散射的平均自由时间r成正比，有下列关系 产二共式中q为电子电荷，C;m‘为有效质量，kg。:是散射的平均自由时间，s。散射主要有:(1)晶格散射，考虑其中的声学波散射，迁移率与温度的关系可表示成产，ccT一3/2。(2)电离杂质散射，迁移率与温度和电离杂质浓度N:的关系可表示成产.oc洲/2/N;。半导体的电导率为 n型:。。=nq产n p型:。p一Pq脚混合型:。，nq群n+Pq脚式中。为电子浓度，cm一3;p为空穴浓度，cm一3;肠为电子迁移率，cmZ/v·。;产。
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参考词条