1)  Argon plasma coagulation
氩离子凝固术/氩气刀
2)  argon ion
氩离子
1.
A low energy argon ion beam has been applied to bombard the backsurface of silicon wafers after the ultrahigh frequency low power transistors are fabricated, and the noise coefficient of low frequency and high frequency can be decreased effectively, the characteristics frequency and current gain of direction current can be increased.
在完成超高频小功率晶体管的芯片和上部铝电极的制备工艺后 ,采用低能量氩离子束轰击芯片背面 ,能有效地降低其高频及低频噪声系数、提高其特征频率和电流放大系数 。
2.
when low energy argon ion beam bombards the backsurface of silicon wafers, after the high frequency low power transistor and ultrahigh frequency low power transistor are fabricated, it can increase effectively the D-C current gain hFE, the A-C current gain h21 and the character frequency fT, and improve the collector-base junction breakdown characteristics.
在制造硅ｎｐｎ型高频、超高频小功率晶体管管芯和形成铝电极后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大晶体管的直、交流电流放大系数，提高特征频率和使击穿特性变硬。
3)  Argon ion source
氩离子源
4)  argon ion beam
氩离子束
5)  Ar~+ sputtering
氩离子轰击
1.
To make uniformly sized and spaced Ag clusters, the HOPG surface was modified by thermal oxidization and Ar~+ sputtering before Ag deposition, respectively.
本文分别采用加热氧化和氩离子轰击来改变HOPG衬底的表面结构,并用扫描隧道显微镜(STM)研究了银在它们上面的生长过程。
6)  Argon ion laser
氩离子激光
1.
Argon ion laser with wavelength of 488 nm was used as light source in the experiments.
本文用铁芳烃化合物与特种环氧树脂配制成阳离子型可见光固化树脂 ,在氩离子激光器产生的多束可见连续激光相干形成的空间干涉光场中曝光 ,成功地制备出亚微米量级的三维周期有序结构 。
参考词条
补充资料：氩
氩
argon
    一种化学元素   。化学符号Ar  ，原子序数18  ，原子量39.948，属周期系零族，为稀有气体的成员之一。1784年英国H.卡文迪什曾从空气中获得氩，但未确认。1894年英国瑞利和W.拉姆齐重复了卡文迪什的实验，并用光谱分析证实这种气体是一种新元素，取名argon。含义是“懒惰”。氩在地球大气中的含量为0.934％   ，有3种同位素：氩40、氩36、氩38。氩是无色、无臭、无味的气体，熔点－189.2℃，沸点－185.7℃，气体密度1.784克／升（0℃，1×105帕），在水中的溶解度33.6厘米3／千克水 。氩可由液态空气分馏制得。氩不能燃烧，也不助燃，用作电弧焊接不锈钢、镁、铝的惰性保护气体。也作为惰性气体填充日光灯、电灯泡、光电管等，延长灯丝寿命。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。