补充资料：电子工业用试剂

    　　用于半导体工业、微电子工业的化学试剂。电子工业范围广，所用材料品种繁多。特别是半导体工业、微电子工业的发展，所用化学试剂也随之迅速发展。自从硅平面工艺建立后，半导体工业获得飞速进展，其中一个重要的原因就是不断开发先进技术和相应的各种新型试剂。电子工业用试剂主要有以下几种：
　　
　　①　光刻胶　又称光致抗蚀剂，随着半导体电路向超高频、高可靠、高集成方向发展。利用光刻工艺刻蚀各种精密的线条一般为 12～1μm，正在研究 0.5μm，越来越细。用作抗蚀涂层的光刻胶是光刻工艺中的关键材料，要求光刻胶的性能、质量也越来越高。因此，在微电子工业中光刻胶是研究、竞争相当活跃的领域。在美国，1982～1986年间光刻胶的销售额年平均增长约14％。
　　
　　近年来，不断研究感光性树脂、感光剂的结构和曝光光源的改进，以提高分辨精度和耐腐蚀等性能，适应微电子工业向超大规模集成电路的发展。
　　
　　②　高纯试剂　又称高纯化学品,它的应用,贯穿于整个电路生产的工艺过程中。它的质量对控制沾污，提高集成电路成品率,起着重要作用。主要包括两类:第一类在制半导体器件和集成电路生产中，除高纯单晶和超纯气体外,并要有控制地掺入适量的杂质元素,以使之具有所需要的电性能。这种掺入的杂质称为掺入剂，主要是砷、磷、硼的化合物，如三氧化二砷、三氯化磷、三氯氧磷、三溴化硼、砷烷、磷烷、硼烷等。这类试剂纯度很高，一般金属元素杂质要控制在0.1～0.001ppm,非金属元素杂质控制在0.1ppm以下。第二类在蚀刻过程中用于清洗、显影、腐蚀、去膜等工序。这类试剂包括硫酸、盐酸、硝酸、氢氟酸、过氧化氢等无机物和丙酮、甲醇等10多种有机溶剂。随着 MOS（金属-氧化物-半导体）电路的出现，特别是大规模及超大规模集成电路的发展，对高纯试剂的纯度和净度要求也越来越高，除在纯度上要求金属元素的杂质控制在ppb级,非金属元素达到0.1ppm的水平外，对尘埃粒度也有一定的要求，目前最高要求为: 100ml的液体中,2μm以上的颗粒不超过100个或300个。根据集成电路的集成度不同,有不同的质量标准。
　　
　　为了适应高纯和超净的质量要求，生产这些试剂的某些工序,要在100级的超净环境下进行。所用的高纯水，产品容器的清洗、分装、包装以及产品的贮存等工序都有一套相应的超净技术，以防止尘埃侵入产品。80年代这类试剂在中国的生产规模为数百吨，电子工业发达的国家已达万吨规模。
　　
　　③　液晶　是电子工业中另一种新型材料。液晶的应用已有十多年的历史，现在主要应用于电子工业。
　　

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