1)  threshold potential
阈电位水平
2)  Threshold voltage
阈电压
1.
A 2D analytical electrostatics analysis for the cross-section of a FinFET (or tri-gate MOSFET) is performed to calculate the threshold voltage.
对FinFET器件(或称三栅MOSFET器件)的二维截面做了解析静电学分析以得出阈电压的计算公式。
2.
The analytical solutions to 1D Schrdinger equation (in depth direction) in double gate (DG) MOSFETs are derived to calculate electron density and threshold voltage.
推导了双栅MOSFET器件在深度方向上薛定谔方程的解析解以求得电子密度和阈电压。
3.
Short channel effect of hot electron injection was taken into consideration in the threshold voltage model of submicrometer buried channel pMOSFET,so the model can be used as model for nMOSFET if symbols were changed correspondly.
亚微米埋沟pMOSFET的阈电压模型 ,该模型考虑了热电子发射等短沟道效应 。
3)  sub-threshold current
亚阈电流
4)  threshold potential
阈电位
5)  threshold current
阈电流
6)  threshold circuit
阈电路
参考词条
补充资料:表面电位与电动电位


表面电位与电动电位
surface potentials and electro- kinetic potentials

  匕一oom一an dianwe一丫u dlandong dl占nwei表面电位与电动电位(surfaee potentials andeleetrokinetie Potentials)矿物界面双电层的两个重要的电性参数,表示矿物一水界面荷电的程度。浮选时矿物粒子在水溶液中要和各种离子发生作用,作用的结果经常使矿物表面的电性发生变化。故研究矿物表面的电性,即测定表面电位或电动电位的变化,可以找出矿物与浮选药剂作用的一些规律,进而分析矿物与药剂作用的机理。 表面电位是指固体表面与溶液内部的电位差,以申。表示。它主要取决于溶液中定位离子的浓度。表面电位与定位离子的活度之间的关系服从于能斯特方程,故表面电位的表达式为 RT,a+RT,a生 口n一.一二二In甲丁-一二丁In— n厂a千n厂a一式中R为气体常数;T为绝对温度;n为离子价数;F为法拉第常数;a+、a一为正、负定位离子的活度,在稀溶液中就等于它们的浓度;“年、a巴为表面电位为。时的正、负离子的活度。对于一些氧化矿物,H+和OH-离子是定位离子。当n一1,25C时上述表达式可以简化为必。=0.0591(pH。一pH)。式中pH。为表面电位为。时溶液的pH值,即为矿物的零电点。(见零电点与等电.点)可见,当溶液pH值大于矿物的零电点时矿物表面荷负电,反之荷正电。电动电位是指当溶液处在电场作用下,矿物粒子与溶液之间产生相对运动时,滑动界面上显示的电位,以夸表示。这一电位可用电泳法、电渗法、流动电位法或沉降电位法测出。使用得较多的方法是显微电泳法口对于一些氧化矿物,由于它不导电,理论研究上经常测定它的电动电位。 (龚焕高)
  
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