补充资料：发光用半导体材料

发光用半导体材料
semiconductor material used for luminescence

(LD)3大类。可见光LED用的材料以及发光波段和颜色列于表中，已批量生产和大量应用的仍属l一V族化合物半导休材料，其中起主流作用的是可制成红、橙、黄、绿各色LED的GaP材料和可制造高亮度LED的GaAIAs材料。GaN和SIC蓝色LED已达到实用化水平，由此在以往已成熟的红、绿色LED的基础上实现了全色LED显示。可见光LED主要用于指示灯以及数字、文字和图像显示，高亮度LED用于印相机、汽车尾灯、交通信号灯和全色LED平板显示、红外LED和激光器主要用于光通信。随着光盘、激光印刷以及塑料光纤通信等光学信息处理装置与传输系统的发展，对可见光LD的需求日益增加，因此大力开发研究了可见光LD所用的材料，如AIGaAsp(0.653拌m)、GaAIAs(0.752拜m)、InGaAsP(0.757拜m)以及可制造最短波LD的Znse和SIC材料。今后，随着应用领域的扩展，将开发适合于更长或更短波长范围以及高亮度、高速度、高密度方面的新型发光器件。 以上所用材料，如GaAs、GaP、InP等体单晶材料，一般都是采用水平布里支曼法和液封直拉法生长单晶，而制造发光器件所用的外延材料如GaAIAS、GaAsP、GalnAsP、InGaAssb等，开始时用气相外延法和液相外延法，后来采用可以生长超薄、多层结构材料的金属有机化学气相沉积法和分子束外延法。 (钱嘉裕)faguang yong bandaot一eo一I+ao发光用半导体材料(Semieonductor materialused for lumineseenee)在外电场作用下能发光的半导体材料。半导体晶体中价带上的电子被外电场激发到导带中，将其能量的一部分传递给晶格振动或其他电子，不久与空穴复合而放出光子。在完整晶体中，被激发到导带中的电子直接与价带中的空穴复合而发光，其发光峰值能量等于禁带宽度，即hv一Eg〔见半导体能带结构)。但在实际晶体中除了含有多种微量杂质和缺陷外，有意掺入晶体中起发光中心作用的杂质占优势，在禁带中形成局部能级，发光过程通常是被激发到导带的电子先被局部能级Ei所俘获，随后才与空穴复合而发光。因此，其发光峰值能量低于禁带宽度，即h。一E:一△E、，发光波长由下式决定: 又一h‘/E:一△Ei式中h为普朗克常数;，为频率，次/s，。为光速，。m/s，△Ei为激活能，eV。 上述激励电子，如果没有受到任何外部感应，自身就与空穴复合而发出光子;这种现象称为自辐射。在一些半导体材料中，当自然放射产生的光子在晶体中行进时，将对其他尚未到达自辐射的激励电子产生藕合感应，使受到感应的激励电子在没有达到放射前就与空穴复合而形成新的光子。

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